[发明专利]一种多种保护的DCDC使能电路

权利要求书

1.一种多种保护的DCDC使能电路，其特征在于，包括欠压关闭电路(1)、过压钳位电路(2)、DCDC打开电路(3)、短路保护触发电路(4)、DCDC模块(5)、充电开关电路(6)、单片机MCU(8)、输入Vin(7)、3.3V电源(9)，所述欠压关闭电路(1)、过压钳位电路(2)、DCDC打开电路(3)、短路保护触发电路(4)、DCDC模块(5)都与充电开关电路(6)连接，所述欠压关闭电路(1)、短路保护触发电路(4)、过压钳位电路(2)都连接DCDC打开电路(3)，所述短路保护触发电路(4)连接DCDC模块(5)，所述DCDC打开电路(3)、DCDC模块(5)都连接单片机MCU(8)，所述充电开关电路(6)连接输入Vin(7)，所述欠压关闭电路(1)、DCDC打开电路(3)都连接3.3V电源(9)。

2.根据权利要求1所述一种多种保护的DCDC使能电路，其特征在于，所述欠压关闭电路(1)包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、三极管Q1、MOS管Q2，所述电阻R1的一端连接充电开关电路(6)，所述电阻R1的另一端通过电阻R2连接电阻R3的一端，所述电阻R3的另一端连接地信号GND，所述电阻R3的一端连接三极管Q1的基极，所述三极管Q1的发射极连接地信号GND，所述三极管Q1的集电极通过电阻R4连接3.3V电源(9)，所述MOS管Q2的G极连接三极管Q1的集电极，所述MOS管Q2的S极连接地信号GND，所述MOS管Q2的G极连接DCDC打开电路(3)。

3.根据权利要求2所述一种多种保护的DCDC使能电路，其特征在于，所述MOS管Q2为N沟道MOS管，所述三极管Q1为NPN三极管。

4.根据权利要求1所述一种多种保护的DCDC使能电路，其特征在于，所述过压钳位电路(2)包括电阻R8、稳压二极管ZD1、稳压二极管ZD2，所述电阻R8的一端连接充电开关电路(6)，所述电阻R8的另一端连接DCDC打开电路(3)，所述电阻R8的另一端通过稳压二极管ZD1连接稳压二极管ZD2的负极，所述稳压二极管ZD2的正极连接地信号GND。

5.根据权利要求1所述一种多种保护的DCDC使能电路，其特征在于，所述DCDC打开电路(3)包括光耦G1、电阻R5、电阻R6、电阻R7、三极管Q3，所述光耦G1的2管脚连接地信号GND，所述光耦G1的1管脚连接欠压关闭电路(1)，所述光耦G1的4管脚连接过压钳位电路(2)，所述光耦G1的3管脚连接充电开关电路(6)，所述光耦G1的1管脚通过电阻R6连接电阻R7的一端，所述电阻R7的一端连接短路保护触发电路(4)，所述电阻R7的另一端连接三极管Q3的集电极，所述三极管Q3的发射极连接3.3V电源(9)，所述三极管Q3的基极通过电阻R5连接单片机MCU(8)，所述电阻R7的一端连接单片机MCU(8)。

6.根据权利要求5所述一种多种保护的DCDC使能电路，其特征在于，所述三极管Q3为PNP三极管。

7.根据权利要求1所述一种多种保护的DCDC使能电路，其特征在于，所述短路保护触发电路(4)包括三极管Q4、二极管D2、电阻R12，所述三极管Q4的集电极连接DCDC模块(5)和充电开关电路(6)，所述三极管Q4的发射极连接DCDC打开电路(3)，所述三极管Q4的基极通过二极管D2连接电阻R12的一端，所述电阻R12的另一端连接三极管Q4的集电极。

8.根据权利要求7所述一种多种保护的DCDC使能电路，其特征在于，所述三极管Q4为PNP三极管。

9.根据权利要求1所述一种多种保护的DCDC使能电路，其特征在于，所述DCDC模块(5)包括DCDC芯片U1、电容C2、电容C3、二极管D4、电感L1，所述DCDC芯片U1的输入端IN通过电容C2连接电容C3的一端，所述电容C3的另一端连接地信号GND，所述DCDC芯片U1的输出端OUT通过二极管D4连接地信号GND，所述DCDC芯片U1的输出端OUT通过电感L1连接单片机MCU(8)。

10.根据权利要求1所述一种多种保护的DCDC使能电路，其特征在于，所述充电开关电路(6)包括二极管D1、二极管D3、二极管D5、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R14、稳压二极管ZD3、三极管Q7、MOS管Q5、MOS管Q6、大电容C1、大电容C4，所述二极管D1的正极连接输入Vin(7)，所述二极管D1的负极连接欠压关闭电路(1)，所述二极管D1的负极通过二极管D3连接三极管Q7的集电极，所述三极管Q7的集电极连接过压钳位电路(2)，所述三极管Q7的集电极通过二极管D5连接三极管Q7的基极，所述三极管Q7的发射极通过电阻R14连接大电容C1的一端，所述大电容C1的另一端通过大电容C4连接地信号GND，所述三极管Q7的发射极连接MOS管Q6的D极，所述MOS管Q6的G极连接电阻R9的一端，所述电阻R9的另一端连接DCDC打开电路(3)，所述MOS管Q6的S极连接MOS管Q5的D极，所述MOS管Q5的S极连接短路保护触发电路(4)和DCDC模块(5)，所述MOS管Q5的G极通过电阻R10连接电阻R9的一端，所述MOS管Q5的G极通过稳压二极管ZD3连接MOS管Q5的S极，所述电阻R11与稳压二极管ZD3相并联，所述三极管Q7为NPN三极管，所述MOS管Q5、MOS管Q6都为N沟道MOS管。