[发明专利]一种可重构的限幅衰减一体化电路及其工作方法

说明书

本发明提供一种可重构的限幅衰减一体化电路及其工作方法，所述可重构的限幅衰减一体化电路包括基片材料，以及集成在基片材料表面的PIN二极管一、PIN二极管二、PIN二极管三、场效应管FET1、隔直电容一、隔直电容二、隔直电容三、隔直电容四、吸收电阻R1、吸收电阻R2、串联电阻R3、限流电阻R4、扼流电感L1、扼流电感L2、扼流电感L3、扼流电感L4、输入传输线、输出传输线、匹配传输线、接地金属孔一、接地金属孔二、接地金属孔三、接地金属孔四和接地金属孔五。本发明的可重构的限幅衰减一体化电路采用PIN二极管、偏置电路、匹配电路等一体化融合设计方式，能够实现限幅器和π型衰减器两种工作状态的重构，具备低差损、小型化及低成本等技术效果。

技术领域

本发明涉及微波技术领域，具体而言，涉及一种可重构的限幅衰减一体化电路及其工作方法。

背景技术

针对系统应用，要求每个接收通道都具备接收通道限幅保护、低噪声接收及动态扩展等功能，需要在每个接收通道的输入端设置限幅器和动态衰减器，传统的实现方式采用分离的限幅器和数控衰减器实现，如图1所示，其具体工作原理如下：

1、限幅器连接在天线和数控衰减器之间，实现对接收通道的保护；

2、在低噪声模式接收时，数控衰减器工作于非衰减状态，实现微小信号的低噪声接收；

3、在大信号接收模式下，数控衰减器工作于衰减状态，实现对接收大信号的衰减，完成接收系统的动态扩展功能。

图1中的限幅器和数控衰减器采用相互独立电路功能单元实现，存在体积大、价格高、插损大的缺点，不利于系统的小型化、低成本和低噪声接收等，不能够满足新一代宽带阵列化接收系统的技术要求。

发明内容

本发明旨在提供一种可重构的限幅衰减一体化电路及其工作方法，以解决限幅器和数控衰减器采用相互独立电路功能单元实现时存在的问题。

本发明提供的一种可重构的限幅衰减一体化电路，包括基片材料，以及集成在基片材料表面的PIN二极管一、PIN二极管二、PIN二极管三、场效应管FET1、隔直电容一、隔直电容二、隔直电容三、隔直电容四、吸收电阻R1、吸收电阻R2、串联电阻R3、限流电阻R4、扼流电感L1、扼流电感L2、扼流电感L3、扼流电感L4、输入传输线、输出传输线、匹配传输线、接地金属孔一、接地金属孔二、接地金属孔三、接地金属孔四和接地金属孔五；

输入传输线的输出端依次经隔直电容一、匹配传输线、串联电阻R3、隔直电容二连接至输出传输线的输入端；

隔直电容一与匹配传输线之间的电性连接点经PIN二极管一与接地金属孔一连接；

匹配传输线与串联电阻R3之间的电性连接点，一方面经扼流电感L1连接至接地金属孔五，另一方面依次经PIN二极管二、吸收电阻R1、隔直电容四连接至接地金属孔二；PIN二极管二与吸收电阻R1之间的电性连接点经扼流电感L4连接至限流电阻R4的一端；

串联电阻R3与隔直电容二之间的电性连接点，一方面经扼流电感L2连接至接地金属孔四，另一方面依次经PIN二极管三、吸收电阻R2、隔直电容三连接至接地金属孔三；PIN二极管三与吸收电阻R2之间的电性连接点经扼流电感L3连接至限流电阻R4的一端；

限流电阻R4的另一端连接至控制电平二；场效应管FET1的源极和漏极分别并联在串联电阻R3的两端，场效应管FET1的栅极连接至控制电平一。