[发明专利]半导体装置及其制造方法及包括其的电子设备

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

衬底；

在竖直方向上叠置在所述衬底上的第一半导体器件和第二半导体器件，所述第一半导体器件和所述第二半导体器件各自包括在竖直方向上依次叠置的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层以及围绕所述沟道层的外周的栅堆叠，

其中，所述第一半导体器件的第一源/漏层、第二源/漏层和栅堆叠在第一方向上的一端相对于所述第二半导体器件的第一源/漏层、第二源/漏层和栅堆叠在所述第一方向上的相应的一端在所述第一方向上伸出，从而形成第一台阶，所述第二半导体器件限定第二台阶，

其中，所述第一半导体器件和所述第二半导体器件各自的第一源/漏层在与所述第一方向相交的第二方向上的一端相对于第二源/漏层和栅堆叠在所述第二方向上的相应的一端在所述第二方向上伸出，从而分别形成第一子台阶和第二子台阶，其中，所述第一子台阶在所述第一台阶上，所述第二子台阶在所述第二台阶上，

其中，在所述第一半导体器件和所述第二半导体器件中的每一个中，相对于第二源/漏层在所述第二方向上与所述一端相对的另一端，栅堆叠在所述第二方向上与所述一端相对的另一端在所述第二方向上伸出。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

电介质，与所述第一半导体器件和所述第二半导体器件各自的第一源/漏层和第二源/漏层在所述第二方向上的所述另一端相接，且在所述竖直方向上分别夹着所述第一半导体器件和所述第二半导体器件各自的栅堆叠。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

在所述第二方向上排列的第一接触部、第二接触部、第三接触部；

在所述第二方向上排列的第四接触部、第五接触部、第六接触部，

其中，所述第一接触部、所述第二接触部和所述第三接触部处于所述第一台阶上方，所述第四接触部、所述第五接触部和所述第六接触部处于所述第二台阶上方，

其中，所述第一接触部处于所述第一子台阶上方且着落于所述第一半导体器件的第一源/漏层，所述第二接触部着落于所述第一半导体器件的第二源/漏层，所述第三接触部靠近所述第一半导体器件的栅堆叠在所述第二方向上的所述另一端且着落于所述第一半导体器件的栅堆叠，

其中，所述第四接触部处于所述第二子台阶上方且着落于所述第二半导体器件的第一源/漏层，所述第五接触部着落于所述第二半导体器件的第二源/漏层，所述第六接触部靠近所述第二半导体器件的栅堆叠在所述第二方向上的所述另一端且着落于所述第二半导体器件的栅堆叠。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

所述第一接触部、所述第二接触部、所述第三接触部在所述第二方向上排列成直线，且所述第四接触部、所述第五接触部、所述第六接触部在所述第二方向上排列成直线；或者

所述第一接触部、所述第二接触部、所述第三接触部在所述第二方向上呈之字形排列成，且所述第四接触部、所述第五接触部、所述第六接触部在所述第二方向上呈之字形排列。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

在竖直方向上介于所述第一半导体器件与所述第二半导体器件之间的隔离层。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述隔离层处在所述第一半导体器件的第二源/漏层和所述第二半导体器件的第一源/漏层之间并实现电隔离。

7.根据权利要求5或6所述的半导体装置，其中，所述隔离层与所述第二半导体器件的第一源/漏层在俯视图中实质上完全重合。

8.根据权利要求5或6所述的半导体装置，其中，所述隔离层在竖直方向上的厚度小于所述沟道层在竖直方向上的高度。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一半导体器件的第一源/漏层和第二源/漏层在所述第二方向上的所述另一端以及所述第二半导体器件的第一源/漏层和第二源/漏层在所述第二方向上的所述另一端在竖直方向上实质上对齐。