[发明专利]一种TFT基板结构及其制备方法

说明书

本发明涉及TFT基板结构，特别涉及一种TFT基板结构及其制备方法，括玻璃基板，在玻璃基板的一侧面上依次层叠覆盖有栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、蚀刻阻挡层、源漏极金属层、钝化层、第一缓冲层、第一金属层、第一绝缘层、第二缓冲层、共通电极层和第二绝缘层，第二缓冲层位于第一绝缘层和共通电极层之间，钝化层上开设有第二过孔，第一绝缘层上开设有第三过孔，第二缓冲层上开设有第四过孔，第二绝缘层上开设有第五过孔，第二过孔、第三过孔、第四过孔和第五过孔构成一个OC洞，使得OC洞的横截面增大，这样PI液可流动扩散的道路变宽，使得PI液更容易扩散流入OC洞，从而解决因PI不沾导致Fog mura产生的问题。

技术领域

本发明涉及TFT基板结构，特别涉及一种TFT基板结构及其制备方法。

背景技术

在TFT-LCD(英文全称为Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示屏)中，涂布于CF基板和TFT基板上的配向膜，起着控制液晶分子排列方向的作用。TFT-LCD配向膜需要有高机械强度，有配向的记忆功能，配向图案要耐得住近200度的高温。配向膜不能与液晶发生反应。工程应用上，聚酰亚胺(polyimide，PI)能同时满足以上要求。

配向膜需要进行配向处理才能有效地控制液晶分子的排列，配向技术主要有摩擦型和非摩擦型两大类。摩擦配向在LCD领域有着最广泛的应用。摩擦配向是在高分子PI表面用绒布滚轮进行接触式配向。

配向膜成膜方式有PI浸泡方式、印刷方式和喷墨方式。印刷方式有图案选择准确、印刷表面均匀等优点，因此被得到广泛应用。印刷方式基于柔性版印刷技术，PI液透过各种机构转印到基板上，转印过程中，在PI涂布在TFT侧时，由于主动笔架构有较低电容需求，故VA(绝缘层)须由一般SiNx修改为OC(缓冲层)膜层，导致OC深度由原1μm加深至2μm-3μm，使得PI无法完全流入洞内，在滚筒滚动会导致PI被滚筒掀起，导致PI不沾在基板上，此处没有PI液，液晶没有进行预倾角，液晶杂乱无章，会有Fog mura(即圆形状灰度不均不良)现象产生。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供一种TFT基板结构及其制备方法，解决因聚酰亚胺不沾在基板上而导致Fog mura产生的问题。

为了解决上述技术问题，本发明采用的第一种技术方案为：

一种TFT基板结构，包括玻璃基板，在所述玻璃基板的一侧面上依次层叠覆盖有栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、蚀刻阻挡层、源漏极金属层、钝化层、第一缓冲层、第一金属层、第一绝缘层、第二缓冲层、共通电极层和第二绝缘层，所述蚀刻阻挡层上开设有第一过孔，所述第一过孔中填充有源漏极金属层，所述钝化层上开设有第二过孔，所述第一绝缘层上开设有第三过孔，所述第二缓冲层上开设有第四过孔，所述第二绝缘层上开设有第五过孔，所述第二过孔、第三过孔、第四过孔和第五过孔依次层叠设置且相通，所述第二过孔、第三过孔、第四过孔和第五过孔中均填充有画素电极层，所述第一绝缘层上开设有第六过孔，所述第六过孔中填充有第二缓冲层，所述第六过孔中填充的第二缓冲层上开设有第七过孔，所述第七过孔中填充有共通电极层。

本发明采用的第二种技术方案为：

一种TFT基板结构的制备方法，包括以下步骤：

S1、提供一玻璃基板，在玻璃基板表面覆盖有栅极金属层；

S2、形成栅极绝缘层，且覆盖于所述栅极金属层表面；

S3、形成有源层，且覆盖于所述栅极绝缘层表面；

S4、形成蚀刻阻挡层，且覆盖于所述有源层表面；在所述蚀刻阻挡层中形成第一过孔；

S5、形成源漏极金属层，且覆盖于所述蚀刻阻挡层表面和填充于第一过孔中；

S6、形成钝化层，且覆盖于所述源漏极金属层表面；在所述钝化层中形成第二过孔；