[发明专利]一种TFT基板结构及其制备方法

权利要求书

1.一种TFT基板结构，其特征在于，包括玻璃基板，在所述玻璃基板的一侧面上依次层叠覆盖有栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、蚀刻阻挡层、源漏极金属层、钝化层、第一缓冲层、第一金属层、第一绝缘层、第二缓冲层、共通电极层和第二绝缘层，所述蚀刻阻挡层上开设有第一过孔，所述第一过孔中填充有源漏极金属层，所述钝化层上开设有第二过孔，所述第一绝缘层上开设有第三过孔，所述第二缓冲层上开设有第四过孔，所述第二绝缘层上开设有第五过孔，所述第二过孔、第三过孔、第四过孔和第五过孔依次层叠设置且相通，所述第二过孔、第三过孔、第四过孔和第五过孔中均填充有画素电极层，所述第一绝缘层上开设有第六过孔，所述第六过孔中填充有第二缓冲层，所述第六过孔中填充的第二缓冲层上开设有第七过孔，所述第七过孔中填充有共通电极层。

2.根据权利要求1所述的TFT基板结构，其特征在于，所述第二缓冲层的厚度范围为

3.根据权利要求1所述的TFT基板结构，其特征在于，所述第一缓冲层的材质与第二缓冲层的材质均为SiNx。

4.根据权利要求1所述的TFT基板结构，其特征在于，所述第二过孔中填充的画素电极层与源漏极金属层接触。

5.根据权利要求1所述的TFT基板结构，其特征在于，所述第七过孔中填充的共通电极层与第一金属层接触。

6.一种权利要求1所述的TFT基板结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、提供一玻璃基板，在玻璃基板表面覆盖有栅极金属层；

S2、形成栅极绝缘层，且覆盖于所述栅极金属层表面；

S3、形成有源层，且覆盖于所述栅极绝缘层表面；

S4、形成蚀刻阻挡层，且覆盖于所述有源层表面；在所述蚀刻阻挡层中形成第一过孔；

S5、形成源漏极金属层，且覆盖于所述蚀刻阻挡层表面和填充于第一过孔中；

S6、形成钝化层，且覆盖于所述源漏极金属层表面；在所述钝化层中形成第二过孔；

S7、形成第一缓冲层，且覆盖于所述钝化层表面；

S8、形成第一金属层，且覆盖于所述第一缓冲层表面；

S9、形成第一绝缘层，且覆盖于所述第一金属层表面；在所述第一绝缘层中形成第三过孔和第六过孔；

S10、形成第二缓冲层，且覆盖于所述第一绝缘层表面和填充于第六过孔中；在所述第二缓冲层中形成第四过孔和第七过孔；

S11、形成共通电极层，且覆盖于所述第二缓冲层表面与填充于第七过孔中；

S12、形成第二绝缘层，且覆盖于所述第二缓冲层表面；在所述第二绝缘层中形成第五过孔；所述第二过孔、第三过孔、第四过孔和第五过孔依次层叠设置且相通；

S13、形成画素电极层，且覆盖于所述第二绝缘层表面与依次填充于第二过孔、第三过孔、第四过孔和第五过孔中。

7.根据权利要求6所述的TFT基板结构的制备方法，其特征在于，所述第二缓冲层的厚度范围为

8.根据权利要求6所述的TFT基板结构的制备方法，其特征在于，所述第一缓冲层的材质与第二缓冲层的材质均为SiNx。

9.根据权利要求6所述的TFT基板结构的制备方法，其特征在于，所述第二过孔中填充的画素电极层与源漏极金属层接触。

10.根据权利要求6所述的TFT基板结构的制备方法，其特征在于，所述第七过孔中填充的共通电极层与第一金属层接触。