[发明专利]一种光刻胶单体及其聚合物组合物的制备方法在审

专利信息
申请号: 202110611729.2 申请日: 2021-06-02
公开(公告)号: CN113189843A 公开(公告)日: 2021-07-30
发明(设计)人: 葛永鑫;王毓阳;王鹏辉;卜西曼 申请(专利权)人: 南京工业大学
主分类号: G03F7/027 分类号: G03F7/027
代理公司: 北京华际知识产权代理有限公司 11676 代理人: 李厅
地址: 211800 江苏省南京市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 光刻 单体 及其 聚合物 组合 制备 方法
【说明书】:

发明公开了一种光刻胶单体及其聚合物组合物的制备方法,具体包括以下步骤:S1、选取原料组合树脂、聚合单体、散射粒子、光引发剂、乳酸乙酯、丙二醇甲基醚乙酸酯、活性稀释剂和溶剂,按照重量份进行进行称取,本发明涉及光刻胶制备技术领域。该光刻胶单体及其聚合物组合物的制备方法,通过光引发剂在光照下产生自由基,用于引发聚合物单体发生光交联固化反应形成高聚物,同时该光刻胶粘度适中,具有色泽光亮,透明度高和固化速度快的优异性能,同时对耐蚀刻性能有很大的提升。

技术领域

本发明涉及光刻胶制备技术领域,具体为一种光刻胶单体及其聚合物组合物的制备方法。

背景技术

光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一,特别是近年来大规模和超大规模集成电路的发展,更是大大促进了光刻胶的研究开发和应用。印刷工业是光刻胶应用的另一重要领域。1954年由明斯克等人首先研究成功的聚乙烯醇肉桂酸脂就是用于印刷工业的,以后才用于电子工业。光刻胶是一种有机化合物,它被紫外光曝光后,在显影溶液中的溶解度会发生变化。硅片制造中所用的光刻胶以液态涂在硅片表面,而后被干燥成胶膜。

由于光刻胶发生光交联固化反应后,具有不被金属蚀刻液侵蚀的特性,常将其用于金属蚀刻领域。光刻胶通常包括具有双键的光固化树脂、光引发剂、溶剂以及可选地助剂。但是该类光刻胶在光引发剂引发的光固化作用下,固化树脂中的双键不能完全交联,导致固化后的树脂交联密度较低,影响其耐蚀刻性能,光刻胶根据其化学反应机理和成像机理不同,分为正性光刻胶和负性光刻胶。目前的正性光刻胶通常通过加入多官能团的有机胺类或与金属配位的胺类提高其与衬底的粘附性,但是这类正性光刻胶仅在金属表面的粘附性有所提高,而对亲水性衬底表面的粘附力有限。

发明内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足,本发明提供了一种光刻胶单体及其聚合物组合物的制备方法,以解决上述问题。

(二)技术方案

为实现以上目的,本发明通过以下技术方案予以实现:一种光刻胶单体及其聚合物组合物的制备方法,具体包括以下步骤:

S1、选取原料组合树脂、聚合单体、散射粒子、光引发剂、乳酸乙酯、丙二醇甲基醚乙酸酯、活性稀释剂和溶剂,按照重量份进行进行称取;

S2、将步骤S1中的组合树脂、聚合单体、乳酸乙酯、丙二醇甲基醚乙酸酯和溶剂均加入小型混合搅拌机中,进行均搅拌,搅拌机转速控制100-120r/min,搅拌3-5min,搅拌完毕后静置4-8min,得混合物;

S3、将步骤S2中制得的混合物以及步骤S1中的散射粒子、光引发剂和活性稀释剂均加入小型混合搅拌机中,进行均匀搅拌,搅拌机转速控制在80-110r/min,搅拌4-7min,搅拌完毕后得基料;

S4、将步骤S3中制得的基料用0.02μm及以下孔径的滤膜过滤,得到最终光刻胶混合物。

优选的,其原料按重量份包括:组合树脂35-55份、聚合单体8-15份、散射粒子3-8份、光引发剂6-12份、乳酸乙酯7-18份、丙二醇甲基醚乙酸酯7-11份、活性稀释剂5-8份、溶剂100-120份。

优选的,其原料包括以下组分:组合树脂35份、聚合单体8份、散射粒子3份、光引发剂6份、乳酸乙酯8份、丙二醇甲基醚乙酸酯11份、活性稀释剂8份、溶剂120份。

优选的,其原料按重量份包括:组合树脂45份、聚合单体11份、散射粒子6份、光引发剂9份、乳酸乙酯12份、丙二醇甲基醚乙酸酯9份、活性稀释剂7份、溶剂110份。

优选的,其原料按重量份包括:组合树脂55份、聚合单体15份、散射粒子8份、光引发剂12份、乳酸乙酯7份、丙二醇甲基醚乙酸酯7份、活性稀释剂5份、溶剂100份。

优选的,所述组合树脂由固化树脂、酚醛树脂、醚化三聚氰胺树脂组成。

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