[发明专利]一种CMOS图像传感器的高速列线读出电路及读出方法有效

专利信息
申请号: 202110608343.6 申请日: 2021-06-01
公开(公告)号: CN113489927B 公开(公告)日: 2022-06-28
发明(设计)人: 郭仲杰;程新齐;杨佳乐;卢沪;刘楠;许睿明 申请(专利权)人: 西安理工大学
主分类号: H04N5/374 分类号: H04N5/374;H04N5/378
代理公司: 西安弘理专利事务所 61214 代理人: 刘娜
地址: 710048 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 cmos 图像传感器 高速 读出 电路 方法
【权利要求书】:

1.一种CMOS图像传感器的高速列线读出电路,其特征在于,包括像素单元,所述像素单元输出端连接像素面阵的列线,所述像素面阵的列线还连接电流源Ibias、采样电容CS的正极板、输出跨导放大器OTA的输出端,所述采样电容CS负极板分别连接采样电阻RS一端和输出跨导放大器OTA的输入正相端,所述电流源Ibias、采样电阻RS另一端和输出跨导放大器OTA的输入负相端均接地,还包括连接在像素面阵的列线上的寄生电容CP

2.根据权利要求1所述一种CMOS图像传感器的高速列线读出电路,其特征在于,所述寄生电容CP的电容值不小于采样电容CS的电容值的10倍。

3.根据权利要求1所述一种CMOS图像传感器的高速列线读出电路,其特征在于,所述像素单元包括转移开关M1、复位开关M2、源跟随器M3、行选开关M4,所述转移开关M1、复位开关M2、源跟随器M3、行选开关M4均为绝缘栅双极晶体管,所述转移开关M1源极连接光电二极管PD负极,所述转移开关M1漏极分别连接复位开关M2源极、源跟随器M3栅极、寄生电容Cfd一个极板,所述光电二极管PD正极和寄生电容Cfd另一个极板均接地,所述源跟随器M3源极连接行选开关M4漏极,所述行选开关M4源极连接像素面阵的列线,所述源跟随器M3漏极、复位开关M2漏极均连接电源电压。

4.一种大面阵CMOS图像传感器的高速列线读出方法,其特征在于,使用权利要求1或2所述的一种CMOS图像传感器的高速列线读出电路,具体按照以下步骤实施:

当像素单元输出高于积分信号的复位电压时,列线上电压信号由低到高变化,采样电容CS与采样电阻RS形成采样电路,采集列线上的电流信号,并将该电流信号输入至输出跨导放大器OTA的输入正相端,由于输出跨导放大器OTA的输入负相端接地,所以输出跨导放大器OTA输出由高到0的电流信号,该电流信号反馈到列线,加快对寄生电容CP的充电速度;充电越快,输出跨导放大器OTA的输入正相端的电流信号下降的也越快,当输出跨导放大器OTA的输入正相端的信号下将到0时,输出跨导放大器OTA输出的电流也为0,列线上的复位电压信号建立完成并输出至后级读出;

当像素单元输出低于复位电压的积分信号时,从列线上由采样电路采得的电压信号由负逐渐升高到0,并将该电压信号输入至输出跨导放大器OTA的输入正相端,输出跨导放大器OTA输出由负到0的电流信号,该电流信号反馈到列线,加快寄生电容CP放电,放电完成时,采样电路输出电压为0,输出跨导放大器OTA的输出电流也为0,列线上的积分电压信号建立完成并输出至后级读出。

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