[发明专利]一种cmos影像传感器芯片的封装结构在审
申请号: | 202110607869.2 | 申请日: | 2021-06-01 |
公开(公告)号: | CN113284916A | 公开(公告)日: | 2021-08-20 |
发明(设计)人: | 刘家铭;吴灿煌 | 申请(专利权)人: | 合肥芯测半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/024;H04N5/374 |
代理公司: | 合肥左心专利代理事务所(普通合伙) 34152 | 代理人: | 吴朝 |
地址: | 安徽省合肥市经济技术开*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 cmos 影像 传感器 芯片 封装 结构 | ||
本发明涉及芯片封装技术领域,且公开了一种cmos影像传感器芯片的封装结构,包括基板,所述基板的顶部固定连接有芯片,所述基板通过固定座连接有镜座,所述镜座的内部设置有滤镜,所述镜座通过固定螺钉连接有套筒,所述套筒的内部固定连接有镜片,所述镜座的内壁开设有散热孔。该cmos影像传感器芯片的封装结构,通过基板、镜座、固定座、芯片、滤镜、套筒、镜片、散热孔、滤管、防水透气膜、连管、顶环、导热片、底框、紧固螺钉、散热板和散热鳍片之间的相互配合,达到了增大CMOS传感器封装的散热效率,减小设备运行温度对CMOS传感器影响的效果,解决了在连续使用相机拍摄时,CMOS传感器有时会发生因运行温度过高而难以正常工作的问题。
技术领域
本发明涉及芯片封装技术领域,具体为一种cmos影像传感器芯片的封装结构。
背景技术
CMOS影像传感器主要可分为主动像素传感器和被动像素传感器两种,而它的具体封装则可分为POF、COF和镜座为主体的结构,但不论哪一种COMS的封装构件都大致包含有柔性基板、无源元件、芯片、键合引线、滤镜、镜片和套筒等,这些构件多通过胶水连接,而使用的胶水包括热敏胶与光敏胶等。
电子元器件正常运行就会产生热量,尽管CMOS影像传感器芯片的最高结温一般为一百五十度,但在外界温度高于40度或者相机连续成像的情况下,封装过的CMOS影像传感器芯片很快就会出现过热保护,而且在使用多层结构的变焦摄像头时,摄像头伸缩过程中也会产生热量,这些热量和集聚的压力同样会对CMOS传感器造成一定的影响。
发明内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足,本发明提供了一种cmos影像传感器芯片的封装结构,具备增大CMOS传感器封装的散热效率,减小设备运行温度对CMOS传感器影响的优点,解决了在连续使用相机拍摄时,CMOS传感器有时会出现因设备运行温度过高而难以正常工作的问题。
(二)技术方案
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种cmos影像传感器芯片的封装结构,包括基板,所述基板的顶部固定连接有芯片,所述基板通过固定座连接有镜座,所述镜座的内部设置有滤镜,所述镜座通过固定螺钉连接有套筒,所述套筒的内部固定连接有镜片,所述镜座的内壁开设有散热孔,所述散热孔的内部螺纹连接有滤管,所述滤管靠近芯片的一端连接有防水透气膜,所述滤管通过连管连接有顶环,所述顶环靠近芯片的一侧与散热孔靠近芯片一侧的内壁抵持,所述基板的内部固定连接有导热片,所述基板的底部固定连接有底框,所述底框通过紧固螺钉连接有散热板,所述散热板的顶部与导热片的底部抵持,所述散热板的底部固定连接有散热鳍片。
优选的,所述基板的顶部和固定座的内部均开设有卡槽,所述镜座的底部与卡槽的内部连接。
优选的,所述卡槽的内壁开设有齿槽,所述镜座的侧面开设有卡齿,所述卡齿与齿槽卡接,所述卡槽的内底壁开设有通孔。
优选的,所述套筒的底部与滤镜的顶部抵持,所述滤镜的底部与镜座的内壁抵持。
优选的,所述套筒的内部开设有入光孔,所述镜片的侧表面与入光孔的内壁固定连接。
优选的,所述滤管靠近芯片的一端开设有螺纹槽,所述顶环远离芯片的一侧与连管靠近芯片的一端固定连接,所述连管的侧表面与螺纹槽的内部螺纹连接。
优选的,所述基板的底部开设有固定槽,所述导热片的顶部与固定槽的内顶壁固定连接。
优选的,所述套筒的内部开设有排气槽和连通槽,所述套筒的内部开设有通槽,所述套筒的内部开设有插槽,所述插槽的内部活动插接有隔断板。
与现有技术相比,本发明提供了一种cmos影像传感器芯片的封装结构,具备以下有益效果:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的