[发明专利]量子点修饰方法

说明书

本发明公开了一种量子点修饰方法，该方法通过确定介电常数小于或者等于预设数值的第一溶剂与介电常数大于预设数值的第二溶剂，根据配体、第一溶剂与第二溶剂得到介电常数为2～10的目标配体溶液，再将目标配体溶液与待修饰量子点溶液混合，得到目标量子点溶液，利用配体完成对量子点缺陷的修复处理。本发明通过根据配体、低介电常数溶剂与高介电常数溶剂得到介电常数为2～10的目标配体溶液，再将目标配体溶液与待修饰量子点溶液混合反应，得到目标量子点溶液，可以在量子点合成之后再对量子点进行配体修饰，减少了量子点表面的缺陷，提高了量子点的荧光强度。

技术领域

本发明涉及量子点领域，尤其涉及一种量子点修饰方法。

背景技术

量子点的应用不仅与其本身的材料特征、尺寸有关也与其表面的配体有关；量子点表面的配体对于相关的应用具有重要的决定作用。

需要说明的是，由于量子点在合成之后一般只能溶解于低介电常数溶液，而配体溶液一般只溶于高介电常数溶液，所以现有的量子点修饰方法只能在量子点合成前或者在量子点合成的过程中利用配体对缺陷进行修饰。但是当量子点合成之后，量子点本身表面存在大量的阳离子悬空键以及其他的表面缺陷，缺陷对电子进行捕获造成非辐射复合；同时，对量子点纯化时配体会脱落，导致纯化后产生大量配体缺陷，此时配体无法对量子点的缺陷进行修饰，严重影响量子点的发光效率。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种量子点修饰方法，旨在解决现有量子点修饰技术不能在量子点合成之后对量子点进行配体修饰的技术问题。

为实现上述目的，本发明提供一种量子点修饰方法，所述量子点修饰方法包括以下步骤：

确定介电常数小于或者等于预设数值的第一溶剂与介电常数大于所述预设数值的第二溶剂；

根据配体、所述第一溶剂与所述第二溶剂得到介电常数为2～10的目标配体溶液；

将所述目标配体溶液与待修饰量子点溶液混合，得到目标量子点溶液。

可选地，所述根据配体、所述第一溶剂与所述第二溶剂得到介电常数为2～10的目标配体溶液的步骤包括：

将所述第一溶剂与所述第二溶剂混合，得到介电常数为2～10的混合溶剂；

将所述配体与所述混合溶剂混合，得到所述介电常数为2～10的目标配体溶液。

可选地，所述根据配体、所述第一溶剂与所述第二溶剂得到介电常数为2～10的目标配体溶液的步骤包括：

将所述配体与所述第二溶剂混合，得到配体溶液；

将所述配体溶液与所述第一溶剂混合，得到所述介电常数为2～10的目标配体溶液。

可选地，所述配体溶液的质量浓度为1～40mg/ml，所述目标配体溶液的质量浓度为1～10mg/ml。

可选地，所述第一溶剂包括辛烷、正己烷、庚烷、甲苯、氯苯、间二甲苯、邻二甲苯和对二甲苯中的一种或多种，所述第二溶剂包括乙醇、丙酮、甲醇、正己醇和二甲基甲酰胺中的一种或多种。

可选地，所述将所述目标配体溶液与待修饰量子点溶液混合反应的步骤包括：

将所述目标配体溶液与所述待修饰量子点溶液以1:100～30:100的体积比混合反应。

可选地，所述预设数值为5，所述确定介电常数小于或者等于预设数值的第一溶剂与介电常数大于所述预设数值的第二溶剂的步骤包括：

确定介电常数小于或者等于5的所述第一溶剂与介电常数大于5的所述第二溶剂。

可选地，所述第一溶剂与所述第二溶剂的体积比为2:1。