[发明专利]一种射频开关器件、射频电路及电子设备

说明书

本发明公开了一种射频开关器件、射频电路及电子设备，涉及射频开关技术领域，用于降低射频开关器件的静态功耗，从而可以防止由该射频开关器件构成的开关芯片在应用过程中因静态功耗较大而受到制约。所述射频开关器件包括：形成在衬底上的阻变元件；阻变元件包括底电极、顶电极、以及至少位于底电极和顶电极之间的阻变层。本发明提供的射频开关器件应用于射频电路中。本发明提供的电子设备包括所述射频开关器件或所述射频电路。

技术领域

本发明涉及射频开关技术领域，尤其涉及一种射频开关器件、射频电路及电子设备。

背景技术

模拟开关是组成电子设备的重要组件，其在电子设备中起接通或断开信号的作用，被广泛应用在通讯电路、传感电路和射频电路中。具体的，当模拟开关应用于射频电路中时，射频模拟开关可用于在不同频段信号之间进行切换、在发射天线和接收天线之间进行信号的路由、以及在相控网络中形成定向波束等。

但是，现有的射频模拟开关在静态状态期间的功耗较大，从而限制了由该射频模拟开关构成的开关芯片的应用。

发明内容

本发明的目的在于提供一种射频开关器件、射频电路及电子设备，用于降低射频开关器件的静态功耗，从而可以防止由该射频开关器件构成的开关芯片在应用过程中因静态功耗较大而受到制约。

第一方面，本发明提供了一种射频开关器件，该射频开关器件包括：形成在衬底上的阻变元件；阻变元件包括底电极、顶电极、以及至少位于底电极和顶电极之间的阻变层。

与现有技术相比，本发明提供的射频开关器件包括形成在衬底上的阻变元件。并且，该阻变元件包括底电极、顶电极、以及至少位于底电极和顶电极之间的阻变层。在此情况下，当施加在底电极和顶电极之间的电压大于阻变元件的形成电压时，阻变元件所包括的阻变层在该电压的作用下由高阻状态转换为低阻状态。此时，射频开关器件处于打开状态。而当施加在底电极和顶电极之间的电压小于阻变元件的形成电压时，阻变元件所包括的阻变层仍为高阻状态。此时，射频开关器件处于关闭状态。换句话说，阻变元件能够在底电极和顶电极之间施加电压不同的情况下，完成高阻状态和低阻状态之间的转换，从而实现射频开关器件具有开态和关态。同时，因阻变元件在断电的情况下，阻变元件所包括的阻变层的阻值不会发生变化，因高低阻值的差异，在重新上电后阻变元件上的数据不会丢失，能够恢复断电前的状态，使得射频开关器件在静态状态期间的功耗为零，从而能够降低射频开关器件的静态功耗，防止由该射频开关器件构成的开关芯片在应用过程中因静态功耗较大而受到制约。

此外，本发明提供的射频开关器件包括形成在衬底上的阻变元件。并且，该阻变元件包括底电极、顶电极以及位于二者之间的阻变层。因制造底电极和顶电极的电极材料、以及制造阻变层的材料均是CMOS工艺中常用的制造材料，故本发明提供的射频开关器件可以由CMOS工艺制造形成，从而可以减小射频开关器件的物理尺寸，有利于实现射频开关器件的小型化。

第二方面，本发明还提供了一种射频电路，该射频电路包括如第一方面或第一方面中任一可能实现方式所描述的射频开关器件。

第三方面，本发明还提供了一种电子设备，该电子设备包括如第一方面或第一方面中任一可能实现方式所描述的射频开关器件，或如第二方面或第二方面中任一可能实现方式所描述的射频电路。

本发明中第二方面和第三方面及其各种实现方式的有益效果，可以参考第一方面及其各种实现方式中的有益效果，此处不再赘述。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1为本发明实施例提供的射频开关器件的一种结构剖视示意图；

图2为本发明实施例提供的射频开关器件的另一种结构剖视示意图；

图3为本发明实施例提供的射频开关器件的结构俯视示意图；