[发明专利]一种射频开关器件、射频电路及电子设备在审
申请号: | 202110604677.6 | 申请日: | 2021-05-31 |
公开(公告)号: | CN113363382A | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
发明(设计)人: | 赵碧瑶;毕津顺;朱伟强;习凯;韩婷婷;田密 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00 |
代理公司: | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人: | 王胜利 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 射频 开关 器件 电路 电子设备 | ||
1.一种射频开关器件,其特征在于,包括:形成在衬底上的阻变元件;所述阻变元件包括底电极、顶电极、以及至少位于所述底电极和所述顶电极之间的阻变层。
2.根据权利要求1所述的射频开关器件,其特征在于,所述阻变元件还包括阻挡层;所述阻挡层至少位于所述顶电极和所述阻变层之间,或所述阻挡层至少位于所述底电极和所述阻变层之间。
3.根据权利要求2所述的射频开关器件,其特征在于,所述阻挡层所含有的材料为二维材料。
4.根据权利要求2所述的射频开关器件,其特征在于,所述阻挡层包括多层石墨烯层。
5.根据权利要求1~4任一项所述的射频开关器件,其特征在于,所述衬底具有第一区域、以及与所述第一区域接触的第二区域;所述底电极位于所述衬底具有的所述第一区域上;所述阻变层位于所述底电极上;所述顶电极位于所述衬底具有的所述第二区域的上方、以及位于部分所述阻变层上。
6.根据权利要求5所述的射频开关器件,其特征在于,在所述阻变元件还包括所述阻挡层,且所述阻挡层至少位于所述顶电极与所述阻变层之间的情况下,所述阻挡层至少形成在所述顶电极与所述阻变层、所述底电极和所述衬底之间。
7.根据权利要求1~4任一项所述的射频开关器件,其特征在于,所述阻变层所含有的材料为HfO2、Al2O3或Ta2O5;所述底电极和所述顶电极所含有的材料均为金属材料。
8.根据权利要求1~4任一项所述的射频开关器件,其特征在于,所述底电极和所述顶电极之间的正对面积为所述射频开关器件具有的开关面积;所述开关面积为1μm2~100μm2;和/或,
所述射频开关器件还包括形成在所述衬底上的GSG型电极;所述GSG型电极包括间隔设置的第一地电极、第二地电极、第一信号电极和第二信号电极;所述第一信号电极、所述第二信号电极和所述阻变元件均位于所述第一地电极和所述第二地电极之间;所述第一信号电极与所述底电极电连接,所述第二信号电极与所述顶电极电连接。
9.一种射频电路,其特征在于,所述射频电路包括权利要求1~8任一项所述的射频开关器件。
10.一种电子设备,其特征在于,所述电子设备包括权利要求1~8任一项所述的射频开关器件,或权利要求9所述的射频电路。
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