[发明专利]瓷介电容保护方法

权利要求书

1.一种瓷介电容保护方法，其特征在于，用于空间电子设备中的瓷介电容保护，包括以下步骤：

S1、将瓷介电容的两根引线弯曲成倒圆弧直角型，所述的两根引线在弯曲成型时，其圆弧倒角半径要求为所述的两根引线直径的3～5倍；

S2、将所述两根引线与电路板进行焊接；

S3、分层对所述瓷介电容与所述电路板之间进行注胶加固，在注胶时用注射器分层从所述电路板表面开始逐层注胶，直到与所述瓷介电容连接后，继续注胶至大于所述瓷介电容下端面积的1/3，形成瓷介电容加固胶结构；

S4、将所述两根引线与所述电路板的焊接处分别进行点胶灌封。

2.如权利要求1所述的瓷介电容保护方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述两根引线在成型时对所述两根引线的根部进行防护。

3.如权利要求1所述的瓷介电容保护方法，其特征在于，在所述步骤S2中，所述瓷介电容的最下端到所述电路板的垂直距离大于3毫米，使所述瓷介电容与所述电路板之间预留出安装空间。

4.如权利要求3所述的瓷介电容保护方法，其特征在于，在所述安装空间中排列焊接小型元器件。

5.如权利要求1所述的瓷介电容保护方法，其特征在于，在所述步骤S4中，所述两根引线与所述电路板的焊接处进行点胶灌封后，形成加固胶结构，所述两个加固胶结构无接触。