[发明专利]晶舟、扩散设备及半导体器件制造方法

说明书

本申请实施例公开了一种晶舟、扩散设备及半导体器件制造方法，包括：若干固定柱、固定板和承载结构以及连接台，所述固定板与若干所述固定柱连接；所述承载结构设置有多个，多个所述承载结构设置在每一所述固定柱上，若干所述固定柱通过各所述固定柱上对应的所述承载结构共同承载晶圆，其中，所述晶圆包括产品晶圆和控片晶圆；所述承载结构包括产品承载部和控片承载部，所述产品承载部用于承载所述产品晶圆，所述控片承载部用于承载所述控片晶圆；所述连接台固定在若干所述固定柱之间；所述连接台位于所述控片承载部的上方。本申请实施例通过上述技术方案，在保证均匀性，热量的情况下，有效地减少了清洗物料和测试人力，避免造成材料的浪费，节约了成本。

技术领域

本申请涉及半导体电子技术领域，尤其涉及一种晶舟、扩散设备及半导体器件制造方法。

背景技术

多晶硅在半导体领域中作用非常重要，主要是用来做为栅极材料，所以硅栅的生长好坏也就决定了整个半导体器件的性能如何。而晶舟的制作条件，间距和造型也就影响了多晶硅的生长，在实际生产过程中由于多晶硅的反应是硅烷的热分解，生成多晶硅沉积到晶圆表面，控片表面是平整的面，而产品是带有隔离槽填充物的形状，导致产品的比表面积大于控片的，这样就导致了晶圆厚度如果使用控片测量，而下面一片则比较接近于真实产品厚度，颗粒状况则基本一致。多晶硅生产一般是采用6片控片，上/中/下三个部分各放两片控片，两片控片放置在紧挨着的上下两个卡槽位置。这样测量结果，颗粒状况6片控片都作为参考，厚度状况是以下层为主，这样就带来一个坏处是每次进行生产都要浪费3片控片。

发明内容

本申请实施例的目的是提供一种晶舟、扩散设备及半导体器件制造方法，可以在在保证均匀性，热量的情况下，有效地减少了清洗物料和测试人力，节约了成本。

本申请公开了一种晶舟包括：若干固定柱、固定板和承载结构以及连接台，所述固定板与若干所述固定柱连接；所述承载结构设置有多个，多个所述承载结构设置在每一所述固定柱上，若干所述固定柱通过各所述固定柱上对应的所述承载结构共同承载晶圆，其中，所述晶圆包括产品晶圆和控片晶圆；所述承载结构包括产品承载部和控片承载部，所述产品承载部用于承载所述产品晶圆，所述控片承载部用于承载所述控片晶圆；所述连接台固定在若干所述固定柱之间；所述连接台位于所述控片承载部的上方。

可选的，所述控片承载部包括第一控片承载部、第二控片承载部和第三控片承载部，所述第一控片承载部、第二控片承载部和第三控片承载部分部设于所述晶舟的上、中、下部；所述产品承载部包括第一产品承载部和第二产品承载部，所述第一产品承载部设于所述第一控片承载部和所述第二控片承载部之间，所述第二产品承载部设于所述第二控片承载部和所述第三控片承载部之间；所述连接台包括第一连接台、第二连接台和第三连接台，所述第一连接台、第二连接台和第三连接台分别设于第一控片承载部、第二控片承载部和第三控片承载部的上方。

可选的，所述产品承载部包括产品卡托，所述产品卡托从所述固定柱向所述晶舟的中轴方向延伸凸起；各所述固定柱上对应的所述产品卡托高度相同，以共同承载所述产品晶圆；所述控片承载部包括控片卡托，所述控片卡托从所述固定柱向所述晶舟的中轴方向延伸凸起；各所述固定柱上对应的所述控片卡托高度相同，以共同承载所述控片晶圆。

可选的，所述产品承载部包括产品凹槽，所述产品凹槽设于所述固定柱；各所述固定柱上对应的所述产品凹槽高度相同，以共同承载所述产品晶圆；所述控片承载部包括控片凹槽，所述控片凹槽设于所述固定柱；各所述固定柱上对应的所述控片凹槽高度相同，以共同承载所述控片晶圆。

可选的，所述晶圆还包括挡片晶圆，所述承载结构还包括挡片承载部，所述挡片承载部分别设置在所述第一连接台的上方和所述第三控片承载部的下方形成上挡片放置部和下挡片放置部，所述上挡片放置部和所述下挡片放置部用于承载所述挡片晶圆。