[发明专利]晶舟、扩散设备及半导体器件制造方法

权利要求书

1.一种晶舟，其特征在于，包括：

若干固定柱；

固定板，与若干所述固定柱连接；

承载结构，设置有多个，多个所述承载结构设置在每一所述固定柱上，若干所述固定柱通过各所述固定柱上对应的所述承载结构共同承载晶圆，其中，所述晶圆包括产品晶圆和控片晶圆；

所述承载结构包括产品承载部和控片承载部，所述产品承载部用于承载所述产品晶圆，所述控片承载部用于承载所述控片晶圆；以及

连接台，所述连接台固定在若干所述固定柱之间；所述连接台位于所述控片承载部的上方；

所述固定柱包括第一固定柱、第二固定柱和第三固定柱，所述第一固定柱、第二固定柱和第三固定柱呈正三角形设置；所述固定板包括第一固定板和第二固定板，所述第一固定板和所述第二固定板分别设于所述第一固定柱、第二固定柱和第三固定柱的两端，并分别与所述第一固定柱、第二固定柱和第三固定柱固定连接；

所述晶舟还包括限位柱，所述限位柱设于所述第一固定柱和所述第二固定柱之间或所述第二固定柱和所述第三固定柱之间，所述限位柱分别与所述第一固定板、所述第二固定板可拆卸连接。

2.如权利要求1所述的晶舟，其特征在于，

所述控片承载部包括第一控片承载部、第二控片承载部和第三控片承载部，所述第一控片承载部、第二控片承载部和第三控片承载部分部设于所述晶舟的上、中、下部；

所述产品承载部包括第一产品承载部和第二产品承载部，所述第一产品承载部设于所述第一控片承载部和所述第二控片承载部之间，所述第二产品承载部设于所述第二控片承载部和所述第三控片承载部之间；

所述连接台包括第一连接台、第二连接台和第三连接台，所述第一连接台、第二连接台和第三连接台分别设于第一控片承载部、第二控片承载部和第三控片承载部的上方。

3.如权利要求1所述的晶舟，其特征在于，

所述产品承载部包括产品卡托，所述产品卡托从所述固定柱向所述晶舟的中轴方向延伸凸起；各所述固定柱上对应的所述产品卡托高度相同，以共同承载所述产品晶圆；

所述控片承载部包括控片卡托，所述控片卡托从所述固定柱向所述晶舟的中轴方向延伸凸起；各所述固定柱上对应的所述控片卡托高度相同，以共同承载所述控片晶圆。

4.如权利要求1所述的晶舟，其特征在于，

所述产品承载部包括产品凹槽，所述产品凹槽设于所述固定柱；各所述固定柱上对应的所述产品凹槽高度相同，以共同承载所述产品晶圆；

所述控片承载部包括控片凹槽，所述控片凹槽设于所述固定柱；各所述固定柱上对应的所述控片凹槽高度相同，以共同承载所述控片晶圆。

5.如权利要求2所述的晶舟，其特征在于，所述晶圆还包括挡片晶圆，所述承载结构还包括挡片承载部，所述挡片承载部分别设置在所述第一连接台的上方和所述第三控片承载部的下方形成上挡片放置部和下挡片放置部，所述上挡片放置部和所述下挡片放置部用于承载所述挡片晶圆。

6.如权利要求1所述的晶舟，所述固定柱和所述连接台均为石英材质。

7.一种扩散设备，包括工艺炉和权利要求1-6任一项所述的晶舟。

8.一种半导体器件制造方法，应用于如权利要求7所述的扩散设备中，包括以下步骤：

放置控片晶圆至晶舟的连接台下方的控片承载部处；

放置产品晶圆至晶舟的产品承载部处；

将完成装片的晶舟移入工艺炉中；

启动工艺炉氧化沉积制程，对所述产品晶圆和所述控片晶圆进行镀膜取出完成镀膜的所述产品晶圆和所述控片晶圆；

对所述控片晶圆的膜层进行检测，生成检测结果；

若检测结果为合格，则将所述产品晶圆送到下一制程，若检测结构为不合格，则判断所述产品晶圆为不合格产品。

9.如权利要求8所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述方法还包括步骤：

累计完成镀膜的次数；

当次数达到预设次数时，确定所述晶舟需要清洗；

若需要，则将所述晶舟放入弱酸中进行清洗，以备下一次使用；若不需要，则对所述晶舟进行装片，以备下一次制程。