[发明专利]显示面板及其制备方法在审
申请号: | 202110601548.1 | 申请日: | 2021-05-31 |
公开(公告)号: | CN113327942A | 公开(公告)日: | 2021-08-31 |
发明(设计)人: | 姜龙;宋亮;胡静;王江林;杨增刚;欧飞;侯盼;许家豪;廖鹏宇;李浩昇;赵吾阳;郭磊 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32;G09F9/30 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王辉;阚梓瑄 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
1.一种显示面板,包括显示区和围绕所述显示区的外围区,所述外围区具有外围弯折区;所述显示面板在所述显示区具有接触过孔,在所述外围弯折区具有弯折槽;
所述显示面板包括依次层叠的衬底基板、驱动电路层和像素层;所述驱动电路层包括半导体层和源漏金属层,以及包括位于所述半导体层和所述源漏金属层之间的中间层;
所述接触过孔贯穿所述中间层且至少延伸至所述半导体层内;所述弯折槽包括贯穿所述中间层的第一弯折槽,以及包括开口于所述第一弯折槽的槽底的所述第二弯折槽;
所述源漏金属层在所述接触过孔和所述弯折槽内均形成有导电图案。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述接触过孔贯穿所述半导体层。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述接触过孔的深度,为所述第一弯折槽的深度的0.9~1.1倍。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述衬底基板包括依次层叠设置的柔性衬底、无机阻挡层和无机缓冲层;所述驱动电路层设置于所述无机缓冲层远离所述柔性衬底的一侧;
所述接触过孔贯穿所述中间层、所述半导体层、所述无机缓冲层,且延伸至所述无机阻挡层。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述源漏金属层具有第一金属元素;
所述半导体层靠近所述接触过孔的部分,掺杂有所述第一金属元素。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其中,所述第一金属元素为铝。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述第一弯折槽的坡度角在40°~55°范围内。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述第二弯折槽的坡度角在50°~65°范围内。
9.一种显示面板的制备方法,所述显示面板包括显示区和围绕所述显示区的外围区,所述外围区具有外围弯折区;
所述显示面板的制备方法包括依次制备层叠设置的衬底基板、驱动电路层和像素层;所述驱动电路层包括半导体层和源漏金属层,以及包括位于所述半导体层和所述源漏金属层之间的中间层;
其中,制备所述驱动电路层包括:
在所述衬底基板的一侧依次形成所述半导体层、所述中间层,获得第一中间基板;
对所述第一中间基板进行图案化处理,通过一次刻蚀形成接触过孔和第一弯折槽,获得第二中间基板;其中,所述接触过孔位于所述显示区,所述接触过孔贯穿所述中间层且至少延伸至所述半导体层内;所述第一弯折槽位于所述外围弯折区;
对所述第二中间基板进行图案化处理,以形成第二弯折槽;其中,所述第二弯折槽开口于所述第一弯折槽的槽底;
在所述中间层远离所述衬底基板的一侧形成所述源漏金属层。
10.根据权利要求9所述的显示面板的制备方法,其中,对所述第一中间基板进行图案化处理和对所述第二中间基板进行图案化处理时,均采用CF4/O2作为刻蚀气体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的