[发明专利]一种MLCC用离型膜基膜的生产工艺及基膜

说明书

本发明公开了一种MLCC用离型膜基膜的生产工艺，包括以下步骤：S1：制备表层、芯层和表层结构的基膜铸片；S2：基膜铸片预热、加热同时纵向拉伸和冷却；S3：基膜铸片的一表面涂覆涂布液；S4：具有未固化涂布液涂层的铸片依次经预热、加热同时横向拉伸且完成涂层固化、热定型、退火和冷却，制得基膜；退火包括依次的第一退火段和第二退火段，第一退火段的温度低于第二退火段的温度。该发明通过第一退火段和第二退火段的工艺，降低基膜材料的内应力，达到更优的耐温性，进而提高基膜平整度的稳定性。本发明还公开了一种MLCC用离型膜的基膜。

技术领域

本发明涉及电子元件中薄膜制造技术领域，具体涉及一种MLCC用离型膜基膜的生产工艺及基膜。

背景技术

片式多层陶瓷电容器(MLCC)——简称片式电容器，MLCC的制造工艺需要将陶瓷浆料流延在离型膜表面上固化成型。离型膜由离型层和基膜组成，基膜作为离型膜的基材，直接影响离型层的成型性，而离型膜是影响MLCC性能和成品率的关键因素。离型膜的制备需要高温处理，因此基膜还需要具备良好的耐温性，并且高温处理后基膜仍需保持良好的平整度稳定性。

目前，基膜的制造常以聚酯为主要原料，采用挤出法铸片，再经过纵横双向拉伸制成聚酯薄膜。聚酯薄膜作为基膜具有耐热性，但离型膜制备过程中经高温处理后，基膜的耐温性和平整度的稳定性欠佳。

发明内容

本发明的目的之一在于克服现有技术中存在的缺陷，提供一种MLCC用离型膜基膜的生产工艺，通过退火的工艺，优化基膜高温处理后的耐温性，进而提高基膜平整度的稳定性。

为了实现上述工艺效果，本发明的技术方案为：一种MLCC用离型膜基膜的生产工艺，包括以下步骤：

S1：制备表层、芯层和表层结构的基膜铸片；

S2：基膜铸片预热、加热同时纵向拉伸和冷却；

S3：基膜铸片的一表面涂覆涂布液；

S4：具有未固化涂布液涂层的铸片依次经预热、加热同时横向拉伸且完成涂层固化、热定型、退火和冷却，制得基膜；

所述退火包括依次的第一退火段和第二退火段，所述第一退火段的温度低于所述第二退火段的温度。

第一退火段和第二退火段的温度为100～160℃。退火工艺通过降低膜材的内应力，达到更优的耐温性，进而提高基膜平整度的稳定性。涂布为在线涂布，涂布方式为微型凹版涂布、D-bar涂布、刮刀涂布中的一种。

为了进一步降低膜材的内应力，优选的技术方案为：所述S4横向拉伸后铸片的横向宽度为L₀，所述S4冷却后铸片的横向宽度缩短为L₁，所述L₀与L₁的宽度差占L₀的百分比为0.01～0.2％。S4横向拉伸后铸片的横向宽度L₀为横向拉伸最大刻度值，L₀与L₁的宽度差为横向松弛量，L₀与L₁的宽度差占L₀的百分比为横向松弛率。为了优化基膜的热收缩性能，进一步的，S4横向拉伸后铸片的横向宽度为L₀，S4冷却后铸片的横向宽度缩短为L₁，L₀与L₁的宽度差占L₀的百分比为0.05～0.18％。

为了基膜高温处理后达到更优的耐温性，进而提高平整度的稳定性，优选的技术方案为：所述第一退火段的温度为100～120℃，所述第一退火段的停留时间为0.5～3s；所述第二退火段的温度为120～150℃，所述第二退火段的停留时间为0.5～3s。进一步的，第一退火段的温度为105～120℃，第一退火段的停留时间为1～2s；第二退火段的温度为120～135℃，第二退火段的停留时间为1～2s。