[发明专利]一种显示面板及其制备方法在审
申请号: | 202110599967.6 | 申请日: | 2021-05-31 |
公开(公告)号: | CN113327966A | 公开(公告)日: | 2021-08-31 |
发明(设计)人: | 郑爽 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;G06K9/00 |
代理公司: | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人: | 李远思 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
本发明实施例公开一种显示面板及其制备方法。在一具体实施方式中,该显示面板包括阵列基板及设置在阵列基板出光侧的色阻层,阵列基板包括多个像素单元和多个光学指纹传感器,色阻层包括多个彩膜层及设置在彩膜层之间的黑矩阵,黑矩阵开设有多个开孔,多个彩膜层与多个像素单元对应,多个开孔与多个光学指纹传感器对应,黑矩阵的远离阵列基板的一侧的至少部分区域设置有阵列排布的反射金属。该实施方式的显示面板通过设置反射金属,对经手指反射的部分光线进行回收利用,从而实现增强光学传感器所接收到的手指反射光线的效果,提高光学式指纹屏下指纹识别的灵敏度,改善消费者的使用感受。
技术领域
本发明涉及显示技术领域。更具体地,涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
目前,市场上各类显示装置对于指纹识别技术的要求越来越高。传统的指纹识别方式由于需要额外占用独立的空间,从而导致显示面板的体积较大,已经无法满足市场需求。其中,屏下指纹识别技术由于其可集成在显示面板中,无需额外占据显示面板的空间,已经成为指纹识别的一种重要实现方式。
屏下指纹识别技术主要包括电容式、超声波式和光学式三种指纹识别方式,其中,光学式指纹识别技术在OLED显示装置这一领域得到广泛应用。然而,现有技术中的在显示面板中集成的光学指纹识别结构的的可见光损耗比较严重,可见光的利用率较差,导致光学指纹识别的灵敏度较低,常会发生无法正常识别的情况,影响用户体验。
发明内容
本发明的目的在于提供一种显示面板及其制备方法,以解决现有技术存在的问题中的至少一个。
为达到上述目的,本发明采用下述技术方案:
本发明第一方面提供了一种显示面板,包括阵列基板及设置在所述阵列基板出光侧的色阻层,所述阵列基板包括多个像素单元和多个光学指纹传感器,所述色阻层包括多个彩膜层及设置在彩膜层之间的黑矩阵,所述黑矩阵开设有多个开孔,所述多个彩膜层与所述多个像素单元对应,所述多个开孔与所述多个光学指纹传感器对应,所述黑矩阵的远离所述阵列基板的一侧的至少部分区域设置有阵列排布的反射金属。
本发明第一方面所提供的显示面板通过在黑矩阵上设置反射金属,对经手指反射的部分光线进行再反射,以使得再反射后的光线进入开孔内,被光学指纹传感器所接收,即对经手指反射的部分光线进行回收利用,从而实现增强光学传感器所接收到的手指反射光线的效果,减小手指反射光线的损耗,提升入射到光学指纹传感器中的手指反射光线的量,增大手指反射光线的利用率,提高光学式指纹屏下指纹识别的灵敏度,改善消费者的使用感受。同时,该显示面板的制作方法在工艺上易于实现,形成工艺与现有技术的工艺匹配良好,可有效降低制作成本。
可选地,所述反射金属的高度取值为0.2μm-0.5μm。
该可选的实施方式中将反射金属的高度设定为0.2μm-0.5μm,以使得反射金属避让彩膜层,从而保证像素单元所发出的光通过彩膜层后正常发射,确保显示面板的正常显示,保证显示面板的显示画质。
可选地,所述反射金属在平行于所述阵列基板方向上的截面面积取值为3μm2-5μm2。
可选地,所述阵列排布的反射金属中的相邻反射金属的间距取值为1μm-5μm。
该可选的实施方式通过设定相邻反射金属的间距,从而在确保显示面板对自然光的反射率较低的情况下,提高对经手指反射的部分光线的再反射量,从而增多入射到光学指纹传感器中的手指反射光线的量,提高光学式指纹屏下指纹识别的灵敏度。
可选地,所述反射金属在平行于所述阵列基板方向上的截面呈矩形、正六边形或圆形。
可选地,每一开孔周围的反射金属相对于所述开孔呈中心对称分布。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的