[发明专利]半导体清洗设备

说明书

本发明提供一种半导体清洗设备，包括浴槽、清洗槽、声波信号发生装置传导介质喷射装置，清洗槽用于容纳晶片且清洗槽的底部容置于浴槽中，声波信号发生装置设置在浴槽底部，用于提供声波信号，浴槽中的传导介质用于将声波信号向清洗槽传导，传导介质喷射装置设置于浴槽中并位于清洗槽的一侧，用于向清洗槽的底部喷射传导介质，以在清洗槽的底部形成定向流动的传导介质层。在本发明中，浴槽中设置有传导介质喷射装置，传导介质喷射装置能够向晶圆清洗槽的底部喷射传导介质，在晶圆清洗槽的底部形成持续由清洗槽的一侧向另一侧流动的传导介质层，将晶圆清洗槽底部的气泡推离晶圆清洗槽的底部，提高声波信号的能量利用率，进而提高晶圆的清洗效率。

技术领域

本发明涉及半导体工艺设备领域，具体地，涉及一种半导体清洗设备。

背景技术

硅片表面清洗是晶片生产过程中的一个重要环节，现有技术中通常通过兆声清洗技术对晶片进行清洗，其具体原理是向晶片的清洗溶液施加高频兆声波，使清洗溶液分子在声波作用下加速运动，产生高速流动的流体波并不断冲击晶片表面，对晶片表面吸附的污染物及细小微粒进行强制去除，从而实现高效率、高质量的清洗效果。

如图10所示为现阶段半导体清洗设备所使用的兆声组件的原理示意图，放置于清洗槽6下方的换能器5通过浴槽1中的水将声波传递到清洗槽6内。但清洗槽6下方浴槽1内的水在兆声作用下会因为声波负压产生大量微小气泡，气泡在浮力作用下上浮汇聚在清洗槽6底部，并逐渐合并成体积达厘米级的大气泡，最终形成气泡膜附着于清洗槽6底部。如图8所示，声波在由水进入气泡时，会出现波的折射及反射，形成折射声波以及发射声波，从而降低进入清洗槽6内的声波能量，影响清洗效率及清洗均衡性。

因此，如何提供一种能够提高对晶片清洗效率的半导体清洗设备，成为本领域亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明旨在提供一种半导体清洗设备，该半导体清洗设备能够去除清洗槽底部的气泡，提高晶片清洗效率。

为实现上述目的，本发明提供一种半导体清洗设备，所述清洗设备包括浴槽、清洗槽和声波信号发生装置，其中，所述清洗槽用于容纳晶片且所述清洗槽的底部容置于所述浴槽中，所述声波信号发生装置设置在所述浴槽底部，所述声波信号发生装置用于提供声波信号，所述浴槽中的传导介质用于将所述声波信号向所述清洗槽传导，所述半导体清洗设备还包括传导介质喷射装置，所述传导介质喷射装置设置于所述浴槽中并位于所述清洗槽的一侧，用于向所述清洗槽的底部喷射所述传导介质，以在所述清洗槽的底部形成定向流动的传导介质层。

可选地，所述传导介质喷射装置包括介质输送管路和设置在所述介质输送管路上的多个喷头，所述介质输送管路设置在所述浴槽的底面上，所述多个喷头在所述介质输送管路上呈直线排布，且所述直线平行于所述浴槽的底面。

可选地，所述介质输送管路包括进液管以及与所述浴槽底面平行的横管，所述进液管的一端与所述横管连通，另一端穿过所述浴槽的底面，用于接收所述传导介质，所述横管上具有多个沿所述横管的延伸方向等间隔分布的安装孔，多个所述喷头一一对应地与多个所述安装孔连接，所述横管用于通过所述安装孔向所述喷头提供所述传导介质。

可选地，所述安装孔的轴向与所述浴槽底面之间存在夹角，且所述安装孔朝向所述清洗槽的底面设置。

可选地，所述清洗槽的底面与所述浴槽的底面之间存在夹角，所述传导介质喷射装置位于所述清洗槽底面距离所述浴槽底面较近的一侧，所述安装孔的轴向与所述浴槽底面之间的夹角大于所述清洗槽的底面与所述浴槽的底面之间的夹角。

可选地，所述传导介质喷射装置还包括多个连接部和多个角度调整部，多个所述连接部一一对应地安装在多个所述安装孔中，多个所述喷头一一对应地通过多个所述角度调整部与多个所述连接部活动连接，以使所述喷头与所述浴槽底面之间的角度可调。

可选地，所述角度调整部向不同方向调整所述喷头角度的极限位置之间的夹角大于等于10°。