[发明专利]半导体清洗设备在审
| 申请号: | 202110599855.0 | 申请日: | 2021-05-31 |
| 公开(公告)号: | CN113363185A | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
| 发明(设计)人: | 张亚斌;赵宏宇;姬庆韬 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B08B3/12;B08B3/02 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 清洗 设备 | ||
1.一种半导体清洗设备,其特征在于,所述清洗设备包括浴槽、清洗槽和声波信号发生装置,其中,所述清洗槽用于容纳晶片且所述清洗槽的底部容置于所述浴槽中,所述声波信号发生装置设置在所述浴槽底部,所述声波信号发生装置用于提供声波信号,所述浴槽中的传导介质用于将所述声波信号向所述清洗槽传导,所述半导体清洗设备还包括传导介质喷射装置,所述传导介质喷射装置设置于所述浴槽中并位于所述清洗槽的一侧,用于向所述清洗槽的底部喷射所述传导介质,以在所述清洗槽的底部形成定向流动的传导介质层。
2.根据权利要求1所述的半导体清洗设备,其特征在于,所述传导介质喷射装置包括介质输送管路和设置在所述介质输送管路上的多个喷头,所述介质输送管路设置在所述浴槽的底面上,所述多个喷头在所述介质输送管路上呈直线排布,且所述直线平行于所述浴槽的底面。
3.根据权利要求2所述的半导体清洗设备,其特征在于,所述介质输送管路包括进液管以及与所述浴槽底面平行的横管,所述进液管的一端与所述横管连通,另一端穿过所述浴槽的底面,用于接收所述传导介质,所述横管上具有多个沿所述横管的延伸方向等间隔分布的安装孔,多个所述喷头一一对应地与多个所述安装孔连接,所述横管用于通过所述安装孔向所述喷头提供所述传导介质。
4.根据权利要求3所述的半导体清洗设备,其特征在于,所述安装孔的轴向与所述浴槽底面之间存在夹角,且所述安装孔朝向所述清洗槽的底面设置。
5.根据权利要求4所述的半导体清洗设备,其特征在于,所述清洗槽的底面与所述浴槽的底面之间存在夹角,所述传导介质喷射装置位于所述清洗槽底面距离所述浴槽底面较近的一侧,所述安装孔的轴向与所述浴槽底面之间的夹角大于所述清洗槽的底面与所述浴槽的底面之间的夹角。
6.根据权利要求3至5中任意一项所述的半导体清洗设备,其特征在于,所述传导介质喷射装置还包括多个连接部和多个角度调整部,多个所述连接部一一对应地安装在多个所述安装孔中,多个所述喷头一一对应地通过多个所述角度调整部与多个所述连接部活动连接,以使所述喷头与所述浴槽底面之间的角度可调。
7.根据权利要求6所述的半导体清洗设备,其特征在于,所述角度调整部向不同方向调整所述喷头角度的极限位置之间的夹角大于等于10°。
8.根据权利要求6所述的半导体清洗设备,其特征在于,所述喷头能够沿平面喷射所述传导介质,且多个所述喷头的喷射面共面。
9.根据权利要求8所述的半导体清洗设备,其特征在于,所述喷头的宽度沿传导介质的出射方向逐渐增大。
10.根据权利要求9所述的半导体清洗设备,其特征在于,所述清洗槽中具有用于放置晶片的晶片放置位,相邻两个所述喷头之间的间距L满足L≤2h﹒tan(α/2),其中,h为所述喷头的根部至所述晶片放置位的边缘在所述浴槽底面上的投影之间的距离,α为所述喷头喷射所述传导介质形成的扇形水流对应的角度。
11.根据权利要求6所述的半导体清洗设备,其特征在于,所述角度调整部包括第一碗状件和第二碗状件,所述第一碗状件的底部与所述连接部固定连接,所述第二碗状件的底部与所述喷头固定连接;
所述第二碗状件活动套设在所述第一碗状件上并与所述第一碗状件共同围成球形密封腔;所述第一碗状件的底部形成有进液孔,所述连接部中形成有沿轴线方向贯穿所述连接部的进液通道,所述进液通道的一端与所述横管的内部连通,另一端通过所述进液孔与所述球形密封腔连通;所述第二碗状件的底部形成有出液孔,所述球形密封腔通过所述出液孔与所述喷头连通。
12.根据权利要求11所述的清洗设备,其特征在于,所述进液管用于接收所述传导介质的一端的截面积大小等于多个所述连接部中的多个进液通道的截面积之和。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





