[发明专利]光半导体密封用树脂成型物

权利要求书

1.一种光半导体密封用树脂成型物，其中，所述光半导体密封用树脂成型物满足下述关系式(1)：

0.0005≤E’_265℃/E’_100℃≤0.0050 (1)

式中，E’_265℃和E’_100℃分别表示通过下述方法得到的固化物(尺寸：宽度5mm×长度35mm×厚度1mm)在265℃和100℃下的储能模量(Pa)，

固化物的制作方法：

将树脂成型物在150℃下加热4分钟而进行成型，然后在150℃下加热3小时，从而得到固化物。

2.如权利要求1所述的光半导体密封用树脂成型物，其中，通过所述方法将所述光半导体密封用树脂成型物制成固化物(尺寸：宽度5mm×长度35mm×厚度1mm)时的玻璃化转变温度为130℃以上，并且所述光半导体密封用树脂成型物满足下述关系式(2)：

Y＜160000X-14500000 (2)

式中，X表示所述固化物的玻璃化转变温度(℃)，Y表示所述固化物在265℃下的储能模量(Pa)。

3.如权利要求1或2所述的光半导体密封用树脂成型物，其中，所述光半导体密封用树脂成型物满足下述关系式(3)和(4)：

Y＜6300000(130≤X＜150) (3)

Y＜160000X-17000000(150≤X≤190) (4)

各式中，X表示通过所述方法得到的固化物(尺寸：宽度5mm×长度35mm×厚度1mm)的玻璃化转变温度(℃)，Y表示所述固化物在265℃下的储能模量(Pa)。

4.如权利要求1～3中任一项所述的光半导体密封用树脂成型物，其中，所述光半导体密封用树脂成型物满足下述关系式(5)：

0.70＜R_450nm＜1.00 (5)

式中，R_450nm表示对通过所述方法得到的固化物(尺寸：宽度50mm×长度50mm×厚度1mm)在265℃下实施3次回流焊时的、实施前后的波长450nm下的线性透射率之比(实施后/实施前)。

5.如权利要求1～4中任一项所述的光半导体密封用树脂成型物，其中，所述光半导体密封用树脂成型物满足下述关系式(6)和(7)：

0.80＜R_400nm/R_450nm＜1.00 (6)

0.10＜R_300nm/R_450nm＜0.50 (7)

各式中，R_300nm、R_400nm和R_450nm分别表示对通过上述方法得到的固化物(尺寸：宽度50mm×长度50mm×厚度1mm)在265℃下实施3次回流焊时的、实施前后的波长300nm、400nm和450nm下的线性透射率之比(实施后/实施前)。

6.如权利要求1～5中任一项所述的光半导体密封用树脂成型物，其中，通过所述方法将所述光半导体密封用树脂成型物制成固化物(尺寸：宽度50mm×长度50mm×厚度1mm)时的波长450nm下的线性透射率为70％以上。

7.如权利要求1～6中任一项所述的光半导体密封用树脂成型物，其中，所述光半导体密封用树脂成型物包含热固化性树脂、固化剂、热固化性树脂与固化剂的反应产物以及固化促进剂。

8.如权利要求7所述的光半导体密封用树脂成型物，其中，所述光半导体密封用树脂成型物还包含多元醇以及多元醇与固化剂的反应产物。