[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括

基板；

光子集成电路PIC芯片，所述PIC芯片具有第一表面；

电子集成电路EIC芯片，所述EIC芯片位于所述PIC芯片与所述基板之间；

所述PIC芯片与所述EIC芯片进行电连接；

其中，所述EIC芯片的周围的至少一部分设置有封装材料，所述封装材料中设置有过孔导电结构，在所述PIC芯片到所述基板的电连接路径中，包括经过所述过孔导电结构的电连接路径。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述PIC芯片包括PIC布线结构，所述EIC芯片包括EIC布线结构；在所述PIC芯片到所述基板的电连接路径中，包括先后经过所述PIC布线结构、所述EIC布线结构、所述基板的电连接路径。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，包括PIC再布线结构、第一键合结构、EIC再布线结构一、EIC再布线结构二、过孔导电结构、第二键合结构中的至少一个结构；并且，上述至少一个结构满足：

所述PIC布线结构到所述EIC布线结构的电连接路径中，先后经过PIC再布线结构、第一键合结构、EIC再布线结构一中的至少一个，和/或

所述EIC布线结构到所述基板的电连接路径中，先后经过EIC再布线结构二、过孔导电结构、第二键合结构中的至少一个。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述EIC芯片通过第一键合结构与所述PIC芯片连接；

所述EIC芯片通过连接结构与所述基板连接，所述连接结构包括：与所述第一键合结构电连接的第一段连接结构、与所述第一段连接结构电连接的第二段连接结构、以及与所述第二段连接结构电连接的第二键合结构，其中所述第二段连接结构包括所述过孔导电结构；

其中，所述EIC芯片通过所述第二键合结构与所述基板连接。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述第一段连接结构自所述EIC芯片上的所述第一键合结构的连接点横向延伸并超出所述EIC芯片；

所述第二段连接结构自所述第一段连接结构朝着所述基板纵向延伸，并止于所述第二键合结构。

6.如权利要求1或4或5所述的半导体装置，其特征在于，所述EIC芯片周围的封装材料具有两个以上的过孔导电结构，选取与其布线距离非最远的至少一个过孔导电结构与所述EIC芯片进行连接。

7.如权利要求1至5任意一项所述的半导体装置，其特征在于，所述PIC芯片朝向所述基板的投影面积大于至少一个EIC芯片朝向所述基板的投影面积之和。

8.一种半导体装置，其特征在于，包括

基板；

光子集成电路PIC芯片，所述PIC芯片具有第一表面；

电子集成电路EIC芯片，所述EIC芯片位于所述PIC芯片与所述基板之间；

其中，所述PIC芯片与所述EIC芯片进行电连接；

其中，所述电子集成电路EIC芯片包括至少两个EIC芯片，所述至少两个EIC芯片中，包括第一EIC芯片、第二EIC芯片，所述第一EIC芯片、第二EIC芯片之间具有封装材料，所述封装材料中设置至少一个过孔导电结构；在所述PIC芯片到所述基板的电连接路径中，包括经过所述过孔导电结构的电连接路径。

9.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，所述第一EIC芯片周围的封装材料具有两个以上的过孔导电结构，选取与其布线距离非最远的至少一个过孔导电结构与所述第一EIC芯片进行连接。