[发明专利]一种散热型超低功耗半导体器件

说明书

本发明公开了一种散热型超低功耗半导体器件，包括半导体器件主体、底杆、挡杆、散热板、散热片、固定板、第一限位块、连接引脚、限位板、限位柱、连接杆、连接柱、第二限位块、第一连接块、限位杆、固定柱、连接管、第二连接块、连接环、移动环、顶盖、卡杆、固定块、限位环、固定杆、安装管、连接板、挡环、挡块、弹簧和支撑块，该半导体器件，利用安装的散热板和散热片，同时利用安装的支撑块和固定板避免了半导体器件主体直接与固定物贴合，进而提高了散热效率，同时降低了使用半导体器件主体过程的能耗，且利用安装的限位板对连接引脚起到限位作用，避免了在使用焊接过程中导致连接引脚的断裂，进而延长了该半导体器件的使用寿命。

技术领域

本发明涉及半导体器件技术领域，具体为一种散热型超低功耗半导体器件。

背景技术

半导体器件是导电性介于良导电体与绝缘体之间，利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件，它可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。半导体器件的半导体材料是硅、锗或砷化镓，可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材，其中在使用半导体器件的过程中，通过使半导体器件中的连接引脚与固定物进行焊接，进而使用半导体器件，但在实际的使用安装过程中，易导致连接引脚断裂，进而提高了半导体器件的损坏率，同时缩短了半导体器件的使用寿命，且在使用半导体器件的过程中通常使半导体器件直接固定物贴合连接，不利于半导体器件的散热，进而在实际的使用过程中增大了能耗。

发明内容

本发明的目的在于提供一种散热型超低功耗半导体器件，以解决上述背景技术中提出的问题。

为了解决上述技术问题，本发明提供如下技术方案：一种散热型超低功耗半导体器件，包括半导体器件主体、底杆、挡杆、散热板、散热片、固定板、第一限位块、连接引脚、限位板、限位柱、连接杆、连接柱、第二限位块、第一连接块、限位杆、固定柱、连接管、第二连接块、连接环、移动环、顶盖、卡杆、固定块、限位环、固定杆、安装管、连接板、挡环、挡块、弹簧和支撑块，所述固定板的顶端四角分别与支撑块的底端固定连接，所述支撑块的顶端分别与半导体器件主体的底端四角贴合，所述固定板的顶端四角分别与固定杆的底端固定连接，所述固定杆的顶端分别与限位环的中心处套接固定连接，所述移动环位于连接环和限位环之间，所述移动环的顶端中心边缘处与安装管的底端固定连接，所述安装管的顶端分别与顶盖的底端中心边缘处固定连接，所述顶盖的顶端中心两侧分别与卡杆的底端固定连接，所述卡杆的相向一侧中心处分别与固定块的两端固定连接，所述卡杆的顶端分别贯穿挡杆的中心两侧开设的限位孔与挡杆的顶端两侧开设的限位凹槽底端贴合，所述挡杆的相向一侧分别与半导体器件主体的两侧中心底端固定连接，所述半导体器件主体的两侧中心顶端分别与固定柱的一端固定连接，所述挡环的边缘处与连接管的内部中心一端固定连接，所述连接管远离半导体器件主体的一端与连接板的一侧中心处固定连接，所述连接板的一侧两端中心顶部分别与第一连接块的一端固定连接，所述连接板的一侧两端中心底端分别与第二连接块的一端固定连接，所述第一连接块和第二连接块的另一端分别位于连接柱和限位柱的一端开设的限位槽的内部，所述限位柱的一侧分别与半导体器件主体的两侧中心顶部两端固定连接，所述连接柱的底端与限位柱的顶端贴合，所述连接板的一侧两端分别与限位杆的一端固定连接，所述限位杆的相向一侧分别与连接柱的顶端一侧以及限位柱的底端一侧贴合，所述连接柱远离固定柱的一端分别与连接杆的一侧两端固定连接，所述连接杆的底端均匀与若干个相互对应的限位板的顶端固定连接，所述限位板的中心处开设有限位凹槽，且连接引脚的一端位于该限位凹槽的内部，所述限位板的两侧底端分别与第一限位块的一侧固定连接，所述第一限位块的底端分别位于底杆的顶端均匀开设的凹槽内部。

根据上述技术方案，所述半导体器件主体的底端分别与散热板的顶端固定连接，所述散热板的底端均匀与散热片的顶端固定连接。

根据上述技术方案，所述固定杆的中心底端分别与连接环的中心处固定连接，且移动环位于固定杆上。

根据上述技术方案，所述半导体器件主体的两侧中心顶端均匀安装有若干个相互对应的连接引脚。