[发明专利]一种散热型超低功耗半导体器件

权利要求书

1.一种散热型超低功耗半导体器件，包括半导体器件主体（1）、底杆（2）、挡杆（3）、散热板（4）、散热片（5）、固定板（6）、第一限位块（7）、连接引脚（8）、限位板（9）、限位柱（10）、连接杆（11）、连接柱（12）、第二限位块（13）、第一连接块（14）、限位杆（15）、固定柱（16）、连接管（17）、第二连接块（18）、连接环（19）、移动环（20）、顶盖（21）、卡杆（22）、固定块（23）、限位环（24）、固定杆（25）、安装管（26）、连接板（27）、挡环（28）、挡块（29）、弹簧（30）和支撑块（31），其特征在于：所述固定板（6）的顶端四角分别与支撑块（31）的底端固定连接，所述支撑块（31）的顶端分别与半导体器件主体（1）的底端四角贴合，所述固定板（6）的顶端四角分别与固定杆（25）的底端固定连接，所述固定杆（25）的顶端分别与限位环（24）的中心处套接固定连接，所述移动环（20）位于连接环（19）和限位环（24）之间，所述移动环（20）的顶端中心边缘处与安装管（26）的底端固定连接，所述安装管（26）的顶端分别与顶盖（21）的底端中心边缘处固定连接，所述顶盖（21）的顶端中心两侧分别与卡杆（22）的底端固定连接，所述卡杆（22）的相向一侧中心处分别与固定块（23）的两端固定连接，所述卡杆（22）的顶端分别贯穿挡杆（3）的中心两侧开设的限位孔与挡杆（3）的顶端两侧开设的限位凹槽底端贴合，所述挡杆（3）的相向一侧分别与半导体器件主体（1）的两侧中心底端固定连接，所述半导体器件主体（1）的两侧中心顶端分别与固定柱（16）的一端固定连接，所述挡环（28）的边缘处与连接管（17）的内部中心一端固定连接，所述连接管（17）远离半导体器件主体（1）的一端与连接板（27）的一侧中心处固定连接，所述连接板（27）的一侧两端中心顶部分别与第一连接块（14）的一端固定连接，所述连接板（27）的一侧两端中心底端分别与第二连接块（18）的一端固定连接，所述第一连接块（14）和第二连接块（18）的另一端分别位于连接柱（12）和限位柱（10）的一端开设的限位槽的内部，所述限位柱（10）的一侧分别与半导体器件主体（1）的两侧中心顶部两端固定连接，所述连接柱（12）的底端与限位柱（10）的顶端贴合，所述连接板（27）的一侧两端分别与限位杆（15）的一端固定连接，所述限位杆（15）的相向一侧分别与连接柱（12）的顶端一侧以及限位柱（10）的底端一侧贴合，所述连接柱（12）远离固定柱（16）的一端分别与连接杆（11）的一侧两端固定连接，所述连接杆（11）的底端均匀与若干个相互对应的限位板（9）的顶端固定连接，所述限位板（9）的中心处开设有限位凹槽，且连接引脚（8）的一端位于该限位凹槽的内部，所述限位板（9）的两侧底端分别与第一限位块（7）的一侧固定连接，所述第一限位块（7）的底端分别位于底杆（2）的顶端均匀开设的凹槽内部。

2.根据权利要求1所述的一种散热型超低功耗半导体器件，其特征在于：所述半导体器件主体（1）的底端分别与散热板（4）的顶端固定连接，所述散热板（4）的底端均匀与散热片（5）的顶端固定连接。

3.根据权利要求1所述的一种散热型超低功耗半导体器件，其特征在于：所述固定杆（25）的中心底端分别与连接环（19）的中心处固定连接，且移动环（20）位于固定杆（25）上。

4.根据权利要求1所述的一种散热型超低功耗半导体器件，其特征在于：所述半导体器件主体（1）的两侧中心顶端均匀安装有若干个相互对应的连接引脚（8）。

5.根据权利要求1所述的一种散热型超低功耗半导体器件，其特征在于：所述固定柱（16）的另一端分别与挡块（29）的一侧中心处固定连接，所述固定柱（16）上安装有挡环（28），且挡环（28）与固定柱（16）的连接处开设有通孔。

6.根据权利要求1所述的一种散热型超低功耗半导体器件，其特征在于：所述固定柱（16）上绕接有弹簧（30），且弹簧（30）位于挡块（29）和挡环（28）之间。