[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体制造装置

说明书

本发明涉及半导体装置的制造方法及半导体制造装置。提供在进行激光退火处理时针对多个半导体基板进行厚度的测定的情况下，利用进行厚度测定的半导体基板有多个这一点的半导体装置的制造方法。针对多个半导体基板中的至少1个半导体基板，各自基于该半导体基板的厚度的测定结果的数据即自身厚度数据、多个半导体基板中的该半导体基板之外的至少1个半导体基板的厚度的测定结果的数据即参考厚度数据，对照射至该半导体基板的激光进行控制而进行激光退火处理。

技术领域

本发明涉及半导体装置的制造方法及半导体制造装置。

背景技术

作为半导体装置的制造工序之一的激光退火工序是使用激光局部地对半导体基板进行加热而进行例如半导体层的激活的工序。当前，为了应对低损耗的市场要求，半导体基板的薄化正在发展。在进行了薄化的情况下，半导体基板的厚度厚的部位和薄的部位处的热容的区别变得显著，例如，担心半导体层的激活程度变得不均匀。

在专利文献1中公开了如下方法，即，对被照射物的高度进行测定，创建对与基于被照射物的高度得到的被照射物的膜厚对应的激光进行驱动的电流值的数据库，以基于电流值的激光输出进行激光退火。

专利文献1：日本特开2009-64944号公报

但是，在专利文献1的方法中，在进行激光退火处理时针对多个半导体基板进行厚度的测定的情况下，还存在利用进行厚度测定的半导体基板有多个这一点的余地。

发明内容

本发明就是为了解决这样的问题而提出的，其目的在于，提供半导体装置的制造方法以及适合于半导体装置的制造方法的半导体制造装置，在该半导体装置的制造方法中，在进行激光退火处理时针对多个半导体基板进行厚度的测定的情况下，利用进行厚度测定的半导体基板有多个这一点。

在本发明的半导体装置的制造方法中，准备多个半导体基板，针对多个半导体基板中的至少1个半导体基板，各自基于该半导体基板的厚度的测定结果的数据即自身厚度数据、多个半导体基板中的该半导体基板之外的至少1个半导体基板的厚度的测定结果的数据即参考厚度数据，对照射至该半导体基板的激光进行控制而进行激光退火处理。

另外，本发明的半导体制造装置对半导体基板进行激光退火处理，该半导体制造装置具有：工作台，其对半导体基板进行保持；照射部，其对由工作台保持的半导体基板照射激光；测定部，其对半导体基板的厚度进行测定；以及控制部，其对照射部进行控制，控制部在对某个半导体基板进行激光退火处理时，基于由测定部对某个半导体基板的厚度进行测定而得到的结果的数据即自身厚度数据、由测定部对某个半导体基板之外的至少1个半导体基板的厚度进行测定而得到的结果的数据即参考厚度数据，对激光进行控制。

发明的效果

本发明的半导体装置的制造方法为如下半导体装置的制造方法，即，准备多个半导体基板，针对多个半导体基板中的至少1个半导体基板，各自基于该半导体基板的厚度的测定结果的数据即自身厚度数据、多个半导体基板中的该半导体基板之外的至少1个半导体基板的厚度的测定结果的数据即参考厚度数据，对照射至该半导体基板的激光进行控制而进行激光退火处理。由此，本发明的半导体装置的制造方法是在进行激光退火处理时针对多个半导体基板进行厚度的测定的情况下，利用进行厚度测定的半导体基板有多个这一点的半导体装置的制造方法。

另外，在本发明的半导体制造装置中，控制部在对某个半导体基板进行激光退火处理时，基于由测定部对某个半导体基板的厚度进行测定而得到的结果的数据即自身厚度数据、由测定部对某个半导体基板之外的至少1个半导体基板的厚度进行测定而得到的结果的数据即参考厚度数据，对激光进行控制。由此，本发明的半导体制造装置是适合于如下半导体装置的制造方法的半导体制造装置，其中，在该半导体装置的制造方法中，在进行激光退火处理时针对多个半导体基板进行厚度的测定的情况下，利用进行厚度测定的半导体基板有多个这一点。

附图说明

图1是半导体基板的俯视图。