[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体制造装置

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其中，

准备多个半导体基板，

针对所述多个半导体基板中的至少1个半导体基板，各自基于该半导体基板的厚度的测定结果的数据即自身厚度数据、所述多个半导体基板中的所述该半导体基板之外的至少1个半导体基板的厚度的测定结果的数据即参考厚度数据，对照射至该半导体基板的激光进行控制而进行激光退火处理。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述自身厚度数据包含所述该半导体基板的基于所述参考厚度数据选择出的部位处的厚度的测定结果的数据。

3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述选择出的部位是基于预先确定的基准和所述参考厚度数据判断为平坦的部位。

4.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述多个半导体基板各自具有至少1个形成半导体元件的半导体元件形成区域，

所述选择出的部位包含有在所述至少1个半导体元件形成区域各自中从平坦性高的部位起依次各选择出至少1个的部位，

就所述平坦性而言，在所述至少1个半导体元件形成区域各自中，在所述参考厚度数据的在所述激光的扫描方向上连续的3个测定部位处的厚度的标准偏差更小的情况下，将所述3个测定部位中的厚度与所述3个测定部位处的厚度的平均值最接近的部位判断为所述平坦性更高。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述多个半导体基板各自具有至少1个形成半导体元件的半导体元件形成区域，

所述自身厚度数据包含所述至少1个半导体元件形成区域各自的多个部位处的厚度的测定结果的数据。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

与所述自身厚度数据相比，所述参考厚度数据包含所述半导体基板面内的更多部位处的厚度的测定结果的数据。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述多个半导体基板各自具有至少1个形成半导体元件的半导体元件形成区域，

所述多个半导体基板各自在所述至少1个半导体元件形成区域分别设置有多个元件构造，

以所述多个元件构造在所述激光的扫描方向上排列的方式配置所述半导体基板，

基于被照射所述激光的区域的元件构造为所述多个元件构造中的哪一个而对所述激光进行控制，进行所述激光退火处理。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

在所述多个半导体基板的单侧的主面侧设置有电极，

对所述电极的膜厚进行测定，

基于所述电极的膜厚的所述测定的结果的数据而对所述激光进行控制，进行所述激光退火处理。

9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中，

在所述多个半导体基板的所述单侧的主面侧设置有覆盖所述电极的膜，

对所述膜的膜厚进行测定，

基于所述膜的膜厚的所述测定的结果的数据而对所述激光进行控制，进行所述激光退火处理。

10.一种半导体制造装置，其对半导体基板进行激光退火处理，

该半导体制造装置具有：

工作台，其对所述半导体基板进行保持；

照射部，其对由所述工作台保持的所述半导体基板照射激光；

测定部，其对所述半导体基板的厚度进行测定；以及

控制部，其对所述照射部进行控制，

所述控制部在对某个所述半导体基板进行所述激光退火处理时，基于由所述测定部对所述某个半导体基板的厚度进行测定而得到的结果的数据即自身厚度数据、由所述测定部对所述某个半导体基板之外的至少1个所述半导体基板的厚度进行测定而得到的结果的数据即参考厚度数据，对所述激光进行控制。

11.根据权利要求10所述的半导体制造装置，其中，

所述自身厚度数据包含所述某个半导体基板的基于所述参考厚度数据由所述控制部选择出的部位处的厚度的所述测定的结果的数据。