[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于，包括：

译码模块，被配置为对目标存储单元行地址进行译码，以生成主字线选择信号和子字线选择信号；

主字线驱动模块，与所述译码模块连接，所述主字线驱动模块被配置为响应于所述主字线选择信号而驱动多条主字线；

子字线驱动模块，与所述主字线驱动模块连接，所述子字线驱动模块被配置为响应所述子字线选择信号而驱动多条子字线；

存储单元阵列，一个所述存储单元阵列包括多个存储单元，所述子字线驱动模块布置在所述存储单元阵列的任意一侧边缘处，且所述子字线驱动模块的输出端连接所述存储单元阵列的字线；

至少两个不同的存储单元阵列共同使用一组主字线驱动模块，且一个所述译码模块连接至少一组主字线驱动模块。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，所述主字线驱动模块的第一侧和第二侧均布置有子字线驱动模块，其中布置在所述主字线驱动模块第一侧的子字线驱动模块和所述主字线驱动模块之间设置有所述译码模块；

所述第一侧和所述第二侧相对设置，且所述第一侧和所述第二侧均有主字线输出。

3.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其特征在于，所述子字线驱动模块包括：

子字线选择线驱动器，被配置为响应于所述子字线选择信号而驱动多条子字线选择线；

子字线关断电压线驱动器，被配置为响应于所述子字线选择信号或所述主字线选择信号而利用不同的电压电平来驱动多条子字线关断电压线；

子字线驱动器，被配置为响应于所述主字线、所述子字线选择线和所述子字线关断电压线上的信号来驱动多条子字线。

4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其特征在于，所述多条子字线关断电压线的数量等于所述多条子字线的数量。

5.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其特征在于，从所述子字线驱动器延伸的相邻的一对子字线之间还设置了保持器晶体管。

6.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其特征在于，从不同的所述子字线驱动器延伸出的子字线被交替布置。

7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其特征在于，所述译码模块包括：

主字线译码器，被配置为对所述目标存储单元行地址的预定高位进行译码，以生成所述主字线选择信号；

子字线选择线译码器，被配置为对所述目标存储单元行地址的低位进行译码，以生成所述子字线选择信号；

其中，所述目标存储单元行地址分为高位和低位，所述目标存储单元行地址的低位低于所述目标存储单元行地址的预定高位。

8.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于，还包括：

行地址解读模块，被配置为对目标存储单元地址编码进行解读，以生成所述目标存储单元行地址。

9.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其特征在于，所述行地址解读模块布置在所述主字线驱动模块的第三侧，所述第一侧和所述第二侧均与所述第三侧相邻。

10.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于，所述主字线驱动模块包括反相器，所述反相器响应于所述主字线选择信号而被驱动。

11.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其特征在于，所述主字线驱动模块还包括输出区，所述输出区包括PMOS输出区和NMOS输出区，所述PMOS输出区和所述NMOS输出区均与所述反相器的输出端连接。