[发明专利]一种倒装芯片封装结构及其加工工艺方法

说明书

本发明涉及一种倒装芯片封装结构及其加工工艺方法，其中，倒装芯片封装结构，包括基板，金属块，表面贴装器件，及倒装芯片；所述金属块，表面贴装器件，及倒装芯片与所述基板的上表面连接；所述倒装芯片与所述基板的上表面之间还设有填充胶层，所述金属块，表面贴装器件，及倒装芯片的外周还设有封胶层，所述封胶层的外周还设有电磁干扰金属层。本发明使得此倒装芯片封装结构同时具有散热、电磁干扰整体屏蔽和部分分区屏蔽功能，另外封装过程中进行片研磨，使得此倒装芯片封装结构整体厚度比传统封装产品更薄，更好地适应封装产品轻薄短小发展趋势，能够更好地满足需求。

技术领域

本发明涉及倒装芯片封装技术领域，尤其是指一种倒装芯片封装结构及其加工工艺方法。

背景技术

目前现有电磁干扰屏蔽倒装芯片封装流程大致有四步，第一步将表面贴装器件(SMD)和倒装芯片贴装于带电磁干扰(EMI)屏蔽接地焊垫的封装基板表面，第二步对倒装芯片底部进行底部填胶，第三步将倒装芯片和表面贴装器件用非导电树脂黑胶密封，第四步植入锡球切单颗后使用金属溅镀工艺在产品表面和四周形成电磁干扰金属层，达到防电磁干扰屏蔽的效果；但是现有电磁干扰屏蔽倒装芯片封装产品由于接地焊垫设计在封装基板内部，而封装基板厚度较薄(0.2mm)，切单颗后只有侧面与电磁干扰电磁干扰金属层接触，因接触面积过小存在接地不良的隐患，无法满足需求。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种倒装芯片封装结构及其加工工艺方法。

为了解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：

一种倒装芯片封装结构，包括基板，金属块，表面贴装器件，及倒装芯片；所述金属块，表面贴装器件，及倒装芯片与所述基板的上表面连接；所述倒装芯片与所述基板的上表面之间还设有填充胶层，所述金属块，表面贴装器件，及倒装芯片的外周还设有封胶层，所述封胶层的外周还设有电磁干扰金属层。

其进一步技术方案为：所述基板的下表面还设有若干个锡球。

其进一步技术方案为：所述锡球的直径为0.2mm-0.4mm。

其进一步技术方案为：所述基板上还设有若干个接地端脚。

一种倒装芯片封装结构的加工工艺方法，包括以下步骤：

将金属块，表面贴装器件，及倒装芯片焊接于基板的上表面；

在倒装芯片与基板的上表面之间进行底部填充胶填充；

对金属块，表面贴装器件，及倒装芯片的外周进行封胶，以形成封胶层；

对封胶层的上表面进行片研磨，直至露出金属块；

对基板进行溅镀形成电磁干扰金属层，以完成加工。

其进一步技术方案为：所述对封胶层的上表面进行片研磨，直至露出金属块步骤之后，还包括：在基板的下表面植入锡球。

其进一步技术方案为：所述基板的厚度为0.1mm-0.2mm。

其进一步技术方案为：所述封胶层的厚度为0.4mm-0.6mm。

其进一步技术方案为：所述片研磨的厚度为0.1mm-0.2mm。

其进一步技术方案为：所述电磁干扰金属层的厚度为2μm-5μm。