[发明专利]与非型闪存器件的接触孔制造方法

说明书

本发明提供了一种与非型闪存器件的接触孔制造方法，包括：在一衬底上形成栅极结构及空气间隙；在所述衬底上沉积第一层间介质层；对所述第一层间介质层进行化学机械研磨，将所述第一层间介质层的上表面磨平；在所述衬底上沉积后续层间介质层；在所述衬底上形成接触孔。本发明的与非型闪存器件的接触孔制造方法使得第一层间介质层能够保持水平，进而使得后续层间介质层能够保持水平，从而保证了在接触孔形成工艺中，接触孔的刻蚀方向与不同层的层间介质层形成相同的接触角度，进而保证了接触孔工艺窗口的大小，提高了器件的可靠性。

技术领域

本发明涉及集成电路制造领域，特别涉及一种与非型闪存器件的接触孔制造方法。

背景技术

NAND闪存是一种非易失性存储器，由于其具有容量大、擦写速度快以及成本低等优点，非常适合用来存储数据，并被广泛应用于消费、汽车以及工业电子等领域。

NAND存储器阵列通常由多个块组成，每个块包括若干根字线、接触孔以及金属互连线组成。随着科学技术的发展，接触孔工艺的工艺窗口越来越小，参阅图1，图1是现有的与非型闪存器件的接触孔制作方法中的器件示意图，现有的与非型闪存器件的接触孔制作方法一般包括如下步骤：

S1、在一衬底上形成栅极结构及空气间隙；

S2、沉积各层的层间介质，并对最后沉积的层间介质上进行化学机械研磨；

S3、在所述衬底上形成接触孔；

然后进行下一层的金属间介质沉积。然而在接触孔形成过程中，参阅图1，由于前层器件高度不同使得每一层介质都不是水平的，参阅图2，接触孔刻蚀方向会与不同高度的介质层形成不同的接触角度，这使得即使接触孔曝光显影仅有极小的水平方向偏移在刻蚀时也会造成显著的刻蚀量差异，使得接触孔的工艺窗口极小，对可靠性是极大挑战。

因此，如何对现有的与非型闪存器件的接触孔制作方法进行改善，以使得前段器件完成后，避免层间介质沉积过程中形成台阶导致后续接触孔工艺窗口太小，进而保证后续工艺的可靠性是目前亟需解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种与非型闪存器件的接触孔制造方法，使得前段器件完成后，避免层间介质沉积过程中形成台阶导致后续接触孔工艺窗口太小，进而保证后续工艺的可靠性。

为实现上述目的，本发明提供了一种与非型闪存器件的接触孔制造方法，包括：

S1、在一衬底上形成栅极结构及空气间隙；

S2、在所述衬底上沉积第一层间介质层；

S3、对所述第一层间介质层进行化学机械研磨，将所述第一层间介质层的上表面磨平；

S4、在所述衬底上沉积后续层间介质层；

S5、在所述衬底上形成接触孔。

可选的，在所述衬底上形成接触孔的步骤包括：

在所述衬底上形成图案化的光刻胶，所述图案化的光刻胶暴露出所述接触孔的位置；

对所述衬底进行刻蚀，并清洗；

在所述衬底上沉积一粘结层，再沉积金属钨于所述衬底上。

可选的，所述后续层间介质层包括第二层间介质层以及第三层间介质层，所述第二层间介质层为氮化硅，所述第三层间介质层为氧化硅。

可选的，在刻蚀工艺中，所述第一层间介质层与所述第二层间介质层的交界处以及所述第二层间介质层与所述第三层间介质层的交界处作为不同刻蚀条件的停止层。

可选的，所述粘结层为氮化钛。

可选的，所述第一层间介质层为氧化硅。