[发明专利]与非型闪存器件的接触孔制造方法

权利要求书

1.一种与非型闪存器件的接触孔制造方法，其特征在于，包括：

S1、在一衬底上形成栅极结构及空气间隙；

S2、在所述衬底上沉积第一层间介质层；

S3、对所述第一层间介质层进行化学机械研磨，将所述第一层间介质层的上表面磨平；

S4、在所述衬底上沉积后续层间介质层；

S5、在所述衬底上形成接触孔；

其中，所述第一层间介质层为氧化硅，所述后续层间介质层包括第二层间介质层以及第三层间介质层，所述第二层间介质层为氮化硅，所述第三层间介质层为氧化硅，在刻蚀工艺中，所述第一层间介质层与所述第二层间介质层的交界处以及所述第二层间介质层与所述第三层间介质层的交界处作为不同刻蚀条件的停止层。

2.如权利要求1所述的与非型闪存器件的接触孔制造方法，其特征在于，在所述衬底上形成接触孔的步骤包括：

在所述衬底上形成图案化的光刻胶，所述图案化的光刻胶暴露出所述接触孔的位置；

对所述衬底进行刻蚀，并清洗；

在所述衬底上沉积一粘结层，再沉积金属钨于所述衬底上。

3.如权利要求2所述的与非型闪存器件的接触孔制造方法，其特征在于，所述粘结层为氮化钛。

4.如权利要求1所述的与非型闪存器件的接触孔制造方法，其特征在于，所述S2中还包括，对所述衬底进行热处理。