[发明专利]一种激光钝化处理的太阳能电池加工方法在审
| 申请号： | 202110591778.4 | 申请日： | 2021-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN113178509A | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 吕锦滇;陈伟林;张欣;盛健;林纲正;陈刚 | 申请（专利权）人： | 浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/068 |
| 代理公司： | 深圳盛德大业知识产权代理事务所(普通合伙) 44333 | 代理人： | 贾振勇 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 激光 钝化 处理 太阳能电池 加工 方法 | ||
1.一种激光钝化处理的太阳能电池加工方法，包括以下步骤：
将硅片进行制绒、扩散、刻蚀、镀介质膜，以制得镀膜硅片；
将镀膜硅片在预设温度下进行红外激光照射钝化处理；
对钝化处理后的镀膜硅片进行丝网印刷、烧结，得到成品PERC太阳能电池。
2.根据权利要求1所述的一种激光钝化处理的太阳能电池加工方法，其特征在于，所述将镀膜硅片在预设温度下进行红外激光照射钝化处理步骤之后还包括：
将红外激光照射钝化处理后的镀膜硅片进行快速冷却。
3.根据权利要求1所述的一种激光钝化处理的太阳能电池加工方法，其特征在于，所述预设温度为200～350℃。
4.根据权利要求1所述的一种激光钝化处理的太阳能电池加工方法，其特征在于，所述红外激光的辐射强度为20～60kw/m2。
5.根据权利要求1所述的一种激光钝化处理的太阳能电池加工方法，其特征在于，所述红外激光照射钝化处理的时间为5～20S。
6.根据权利要求1所述的一种激光钝化处理的太阳能电池加工方法，其特征在于，所述红外激光的光源波长为900～1100nm。
7.根据权利要求1所述的一种激光钝化处理的太阳能电池加工方法，其特征在于，所述介质膜包括SiOx膜、SiNOx膜、SiNx膜中的任意一种或多种。
8.根据权利要求1所述的一种激光钝化处理的太阳能电池加工方法，其特征在于，所述镀膜硅片通过激光钝化工艺平台进行红外激光照射钝化处理；所述激光钝化工艺平台包括用于放置硅片的放置台面、用于对所述放置台面进行加热的加热装置、以及红外激光照射灯。
9.根据权利要求8所述的一种激光钝化处理的太阳能电池加工方法，其特征在于，所述激光钝化工艺平台还包括用于对红外激光照射钝化处理后的镀膜硅片进行冷却的风冷装置。
10.根据权利要求8所述的一种激光钝化处理的太阳能电池加工方法，其特征在于，所述激光钝化工艺平台还包括设于所述放置台面、用于对所述放置台面进行冷却的水冷装置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司，未经浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
