[发明专利]闪存器件及其制造方法

说明书

在本发明提供的闪存器件及其制造方法中，第一侧墙层覆盖栅极结构层中的第一开口的侧壁并延伸至所述第一开口暴露出的衬底中，第二侧墙层覆盖所述栅极结构层中的第二开口的侧壁并延伸至所述第二开口暴露出的衬底中，在所述衬底中形成源区和漏区以后，所述第一侧墙层和所述第二侧墙层的底部均低于导电沟道，由此可阻挡漏区(即漏端)的电场，从而降低源漏之间的漏电，并改善闪存器件的抗电压能力。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种闪存器件及其制造方法。

背景技术

闪存(Flash)因具有高密度、低价格和电可编程、擦除的优点，使其已被广泛作为非易失性记忆体应用的最优选择。目前闪存主要是在65纳米的技术节点进行，随着对大容量闪存的要求，利用现有技术节点，每片硅片上的芯片数量将会减少。而随着新的技术节点的日益成熟，也督促闪存单元采用高节点的技术进行生产，这就意味着需要将闪存单元的尺寸进行缩减。目前业界对于闪存器件的尺寸进行缩减的方法主要是减小闪存器件的有源区的宽度和沟道的长度，但闪存器件的有源区的宽度和沟道的长度减小后，会影响闪存器件的性能。并且如果进一步缩减闪存器件中的沟道的长度，会增加源区和漏区之间的漏电，并会降低沟道的击穿电压，导致无法满足闪存器件在编程时的电压要求，基于此，闪存器件的有源区的宽度和沟道的长度减小后，需要对闪存器件的工艺进行优化，以减小闪存器件的性能影响。因此，需要一种新的闪存器件及其制造方法，以解决由沟道变短而导致的漏电，从而造成闪存器件的电压能力不足的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种闪存器件及其制造方法，以解决因源区和漏区之间的漏电而造成闪存器件的电压能力不足的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种闪存器件的制造方法，包括：

提供衬底，所述衬底上形成有栅极结构层；

在所述栅极结构层中形成第一开口和第二开口，所述第一开口和所述第二开口相间隔，且所述第一开口和所述第二开口均暴露出部分所述衬底；

形成第一侧墙层和第二侧墙层，所述第一侧墙层覆盖所述第一开口的侧壁并延伸至所述第一开口暴露出的所述衬底中，所述第二侧墙层覆盖所述第二开口的侧壁并延伸至所述第二开口暴露出的所述衬底中；

以所述第一侧墙层和所述第二侧墙层为掩膜，对所述第一开口暴露出的所述衬底进行离子注入以形成源区，并对所述第二开口暴露出的所述衬底进行所述离子注入以形成漏区。

可选的，在所述的闪存器件的制造方法中，所述第二侧墙层延伸至所述第二开口暴露出的所述衬底中的深度大于所述第一侧墙层延伸至所述第一开口暴露出的所述衬底中的深度。

可选的，在所述的闪存器件的制造方法中，所述第一侧墙层和所述第二侧墙层的形成方法包括：

在所述第一开口暴露出的所述衬底中形成第一凹槽，所述第一凹槽的宽度小于或者等于所述第一开口的宽度；

在所述第二开口暴露出的所述衬底中形成第二凹槽，所述第二凹槽的宽度小于所述第二开口的宽度，且所述第二凹槽的深度大于所述第一凹槽的深度；

形成第一侧墙层和第二侧墙层，所述第一侧墙层覆盖所述第一开口的侧壁，并延伸覆盖所述第一凹槽的侧壁，所述第二侧墙层覆盖所述第二开口的侧壁，并填满所述第二凹槽。

可选的，在所述的闪存器件的制造方法中，在所述第一开口暴露出的所述衬底中形成第一凹槽，以及在所述第二开口暴露出的所述衬底中形成第二凹槽的方法包括：

在所述第一开口的侧壁和所述第二开口的侧壁形成保护层；

以所述保护层为掩膜刻蚀所述第一开口暴露出的所述衬底，以形成所述第一凹槽；以及，

以所述保护层为掩膜刻蚀所述第二开口暴露出的所述衬底，以形成所述第二凹槽。