[发明专利]闪存器件及其制造方法

权利要求书

1.一种闪存器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上形成有栅极结构层；

在所述栅极结构层中形成第一开口和第二开口，所述第一开口和所述第二开口相间隔，且所述第一开口和所述第二开口均暴露出部分所述衬底；

形成第一侧墙层和第二侧墙层，所述第一侧墙层覆盖所述第一开口的侧壁并延伸至所述第一开口暴露出的所述衬底中，所述第二侧墙层覆盖所述第二开口的侧壁并延伸至所述第二开口暴露出的所述衬底中；以及，

以所述第一侧墙层和所述第二侧墙层为掩膜，对所述第一开口暴露出的所述衬底进行离子注入以形成源区，并对所述第二开口暴露出的所述衬底进行离子注入以形成漏区。

2.如权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所述第二侧墙层延伸至所述第二开口暴露出的所述衬底中的深度大于所述第一侧墙层延伸至所述第一开口暴露出的所述衬底中的深度。

3.如权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所述第一侧墙层和所述第二侧墙层的形成方法包括：

在所述第一开口暴露出的所述衬底中形成第一凹槽，所述第一凹槽的宽度小于或者等于所述第一开口的宽度；

在所述第二开口暴露出的所述衬底中形成第二凹槽，所述第二凹槽的宽度小于所述第二开口的宽度，且所述第二凹槽的深度大于所述第一凹槽的深度；

形成第一侧墙层和第二侧墙层，所述第一侧墙层覆盖所述第一开口的侧壁，并延伸覆盖所述第一凹槽的侧壁，所述第二侧墙层覆盖所述第二开口的侧壁，并填满所述第二凹槽。

4.如权利要求3所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，在所述第一开口暴露出的所述衬底中形成第一凹槽，以及在所述第二开口暴露出的所述衬底中形成第二凹槽的方法包括：

在所述第一开口的侧壁和所述第二开口的侧壁形成保护层；

以所述保护层为掩膜刻蚀所述第一开口暴露出的所述衬底，以形成所述第一凹槽；以及，

以所述保护层为掩膜刻蚀所述第二开口暴露出的所述衬底，以形成所述第二凹槽。

5.如权利要求4所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所述保护层的材质包括氧化硅。

6.如权利要求4所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，在刻蚀所述第二开口暴露出的所述衬底时，还刻蚀所述栅极结构层，以去除部分厚度的所述栅极结构层。

7.如权利要求3所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所述源区形成于所述第一凹槽底部的所述衬底中，所述漏区形成于所述第二凹槽外的所述衬底中。

8.如权利要求1～3中任一项所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所述第一侧墙层和所述第二侧墙层均包括氧化层和覆盖所述氧化层的氮化层，其中，所述氧化层通过炉管工艺形成，所述氮化层通过化学气相沉积工艺形成。

9.一种闪存器件，其特征在于，包括：

衬底；

形成于所述衬底上的栅极结构层，所述栅极结构层中形成有第一开口和第二开口，所述第一开口和所述第二开口相间隔，且所述第一开口和所述第二开口均暴露出部分所述衬底；

第一侧墙层，覆盖所述第一开口的侧壁并延伸至所述第一开口暴露出的所述衬底中；

第二侧墙层，覆盖所述第二开口的侧壁并延伸至所述第二开口暴露出的所述衬底中；

源区，形成于所述第一开口暴露出的所述衬底中；以及，

漏区，形成于所述第二开口暴露出的所述衬底中。

10.如权利要求9所述的闪存器件，其特征在于，所述第二侧墙层延伸至所述第二开口暴露出的所述衬底中的深度大于所述第一侧墙层延伸至所述第一开口暴露出的所述衬底中的深度。