[发明专利]半导体器件

说明书

本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底，具有其上设置有有源区的第一表面和与第一表面相反的第二表面；掩埋导线，在一个方向上延伸并具有被掩埋在有源区中的部分；覆盖掩埋导线的绝缘部分；设置在绝缘部分上并连接到掩埋导线的接触结构；从第二表面延伸到绝缘部分并暴露掩埋导线的掩埋部分的贯穿孔；设置在掩埋导线的侧表面上并暴露掩埋部分的底表面和与底表面相邻的侧表面的绝缘隔离膜；接触掩埋导线的底表面和相邻的侧表面的贯穿通路；围绕贯穿通路的绝缘衬层。

技术领域

本发明构思涉及半导体器件。

背景技术

在诸如逻辑电路和存储器的各种半导体器件中，源极/漏极通过接触结构连接到后道工序(BEOL)的金属线。

一种从衬底的背面形成诸如TSV的导电贯穿结构并将导电贯穿结构落着在位于衬底的正面的导线上的方法，被用于将BEOL的至少一部分(例如电源线)连接到位于衬底的背面的元件。

发明内容

示例实施方式提供了一种半导体器件，其中可以减小导电贯穿结构和掩埋导线的接触电阻。

根据本发明的一示例性实施方式，一种半导体器件包括：衬底，具有彼此相反的第一表面和第二表面，并且在第一表面处提供有有源区，有源区具有在第一方向上延伸的多个鳍；限定有源区的第一隔离区，第一隔离区的底表面低于衬底的第一表面的最高表面；限定所述多个有源鳍的第二隔离区，第二隔离区的底表面高于第一隔离区的底表面；掩埋导线，被掩埋在第二隔离区中并在第一方向上延伸；绝缘隔离膜，包括设置在第二隔离区和掩埋导线之间的第一部分；层间绝缘层，设置在第一隔离区和第二隔离区上并覆盖掩埋导线；接触结构，穿透层间绝缘层并连接到掩埋导线；贯穿孔，从衬底的第二表面朝向衬底的第一表面延伸并暴露掩埋导线的一部分，掩埋导线的暴露部分朝向衬底的第二表面延伸超过第二隔离区的底表面；贯穿通路，设置在贯穿孔中，并接触掩埋导线的暴露部分的底表面和掩埋导线的暴露部分的侧表面，掩埋导线的暴露部分的侧表面与掩埋导线的暴露部分的底表面相邻；以及绝缘衬层，设置在贯穿孔的内侧壁和贯穿通路之间。

根据本发明的一示例性实施方式，一种半导体器件包括：衬底，具有第一表面和与第一表面相反的第二表面，并且在第一表面处提供有有源区；掩埋导线，设置在有源区中并在第一方向上延伸，掩埋导线具有第一部分和第二部分，并且掩埋导线的第二部分被有源区围绕；绝缘层，设置在衬底的第一表面上并覆盖掩埋导线，掩埋导线的第一部分被掩埋在绝缘层中；接触结构，设置在绝缘层上并连接到掩埋导线；贯穿孔，从衬底的第二表面延伸到绝缘层并暴露掩埋导线的第二部分；绝缘隔离膜，设置在掩埋导线的侧表面上并围绕掩埋导线，绝缘隔离膜暴露掩埋导线的第二部分的底表面和掩埋导线的第二部分的侧表面，掩埋导线的第二部分的侧表面与掩埋导线的第二部分的底表面相邻；贯穿通路，设置在贯穿孔中，并接触掩埋导线的第二部分的底表面和掩埋导线的第二部分的侧表面；绝缘衬层，设置在贯穿孔的内侧壁和贯穿通路之间；以及背面布线，设置在衬底的第二表面上并连接到贯穿通路。

根据本发明的一示例性实施方式，一种半导体器件包括：衬底，具有第一表面和与第一表面相反的第二表面并在第一表面处具有有源区；贯穿通路，从衬底的第二表面朝向其第一表面延伸；绝缘层，设置在衬底的第一表面上；掩埋导线，被掩埋在绝缘层和贯穿通路中并在第一方向上延伸；接触结构，设置在绝缘层上并连接到掩埋导线；绝缘隔离膜，设置在掩埋导线的侧表面上并围绕掩埋导线，绝缘隔离膜暴露掩埋导线的底表面和掩埋导线的侧表面的一部分，掩埋导线的侧表面的该部分与其底表面相邻；绝缘衬层，设置在贯穿通路的侧表面上，并配置为使贯穿通路与衬底的有源区绝缘；以及背面布线，设置在衬底的第二表面上并连接到贯穿通路。

附图说明

从下面结合附图进行的详细描述，本发明构思的以上和其它方面、特征和优点将被更清楚地理解，其中：

图1是示出根据一示例实施方式的半导体器件的俯视图；

图2是图1中示出的半导体器件的沿线I-I'和线II-II'截取的剖视图；