[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底，具有彼此相反的第一表面和第二表面，并且在所述第一表面处提供有有源区，其中所述有源区具有在第一方向上延伸的多个有源鳍；

限定所述有源区的第一隔离区，其中所述第一隔离区的底表面低于所述衬底的所述第一表面的最高表面；

限定所述多个有源鳍的第二隔离区，其中所述第二隔离区的底表面高于所述第一隔离区的所述底表面；

掩埋导线，被掩埋在所述第二隔离区中并在所述第一方向上延伸；

绝缘隔离膜，包括设置在所述第二隔离区和所述掩埋导线之间的第一部分；

层间绝缘层，设置在所述第一隔离区和所述第二隔离区上，并覆盖所述掩埋导线；

接触结构，穿透所述层间绝缘层并连接到所述掩埋导线；

贯穿孔，从所述衬底的所述第二表面朝向所述衬底的所述第一表面延伸并暴露所述掩埋导线的一部分，其中所述掩埋导线的暴露部分朝向所述衬底的所述第二表面延伸超过所述第二隔离区的所述底表面；

贯穿通路，设置在所述贯穿孔中并且接触所述掩埋导线的所述暴露部分的底表面和所述掩埋导线的所述暴露部分的侧表面，其中所述掩埋导线的所述暴露部分的所述侧表面与所述掩埋导线的所述暴露部分的所述底表面相邻；以及

绝缘衬层，设置在所述贯穿孔的内侧壁和所述贯穿通路之间。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述绝缘隔离膜进一步包括第二部分，所述第二部分延伸超过所述第二隔离区的所述底表面，并限定所述掩埋导线的所述暴露部分的所述侧表面。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中所述绝缘隔离膜的所述第二部分具有比所述绝缘隔离膜的所述第一部分的厚度小的厚度。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中所述绝缘隔离膜的所述第二部分具有朝向所述第二隔离区增加的厚度。

5.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中所述掩埋导线的所述暴露部分的所述侧表面与所述贯穿通路完全接触，以及

其中所述掩埋导线的所述暴露部分不被所述绝缘隔离膜的所述第二部分覆盖。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述掩埋导线的所述暴露部分的所述底表面具有圆化边缘。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述贯穿孔从所述衬底的所述第二表面延伸到所述第二隔离区，以暴露所述第二隔离区的所述底表面的一部分，以及

其中所述贯穿通路进一步接触所述第二隔离区的所述底表面的暴露部分。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述贯穿通路具有与所述有源区的上表面间隔开且低于所述有源区的所述上表面的上端，

其中所述有源区的一部分插设在所述贯穿通路的所述上端和所述第二隔离区的所述底表面之间，以及

其中所述绝缘衬层插设在所述有源区的所述部分和所述贯穿通路之间，以使所述有源区与所述贯穿通路电绝缘。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中在沿着与所述第一方向相交的第二方向截取的横截面中，所述掩埋导线的中心轴线偏离所述贯穿通路的中心轴线。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，

其中所述掩埋导线的所述暴露部分的所述侧表面具有彼此相反的第一侧和第二侧，

其中所述掩埋导线的所述第一侧与所述贯穿通路接触，以及

其中所述掩埋导线的所述第二侧通过所述绝缘隔离膜与所述有源区电绝缘。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，在沿着与所述第一方向相交的第二方向截取的横截面中，所述贯穿孔的上表面的第一宽度大于所述掩埋导线的上表面的第二宽度，以及

其中所述第一宽度和所述第二宽度在所述第二方向上被测量。