[发明专利]一种恒温散热模组

说明书

本发明公开了一种恒温散热模组，其中，所述恒温散热模组包括：芯片；散热模组主体，所述散热模组主体与所述芯片连接，对所述芯片产生的热量进行导出；储热器，所述储热器与所述散热模组主体固定连接，且，所述储热器设置在所述散热模组主体靠近所述芯片的一侧，对所述芯片产生的热量进行储存，其中，当所述储热器热量增加时所述散热模组主体对所述储热器进行散热。解决了现有技术中芯片温度上升时间较短，导致芯片性能衰减较快的技术问题。

技术领域

本发明涉及散热设计领域，尤其涉及一种恒温散热模组。

背景技术

在主流消费电子产品中，性能释放不足的问题非常突出。无论是手机，还是笔记电脑或其他终端设备，现在上市的产品结构设计都是在性能、散热、噪音、外观多个维度博弈后得到的被较多消费者接受的配置。在很多产品中，芯片性能都没有达到完全释放的程度，由其是高端芯片。大多芯片会在刚使用时性能达到完全释放，使用过一段时间后会降低频率。

很多高端芯片有超频的功能，即在开始计算时芯片运算能边在短时间内可以达到基础算力的几倍，功率也会在瞬间达到几倍。通常这种状态维持几秒，有的芯片在散热和硬件设计支持的情况下可以达到几分钟。在这么高的功率下，芯片温度迅速上升，达到某个临界值后开始降低频率，超频结束，性能也相应衰减。现有技术中，部分相变导热材料能够在一定程度上吸热，但其导热材料的用量小，所以其热容量小，实际使用效果仍然不理想。

本申请发明人在实现本申请实施例中发明技术方案的过程中，发现上述技术至少存在如下技术问题：

芯片温度上升时间较短，导致芯片性能衰减较快。

发明内容

芯片在实现超频功能时，温度迅速上升，达到某个临界值后开始降低频率，超频结束，性能也相应衰减。本申请实施例通过提供一种恒温散热模组，解决了现有技术中芯片温度上升时间较短，导致芯片性能衰减较快的技术问题。实现了通过添加高比热容容器，使得芯片在超频时温度上升时间延长，从而增加高负载运行时间，提高产品性能的技术目的。

鉴于上述问题，本申请实施例提供一种恒温散热模组。其中，所述恒温散热模组包括：芯片；散热模组主体，所述散热模组主体与所述芯片连接，对所述芯片产生的热量进行导出；储热器，所述储热器与所述散热模组主体固定连接，且，所述储热器设置在所述散热模组主体靠近所述芯片的一侧，对所述芯片产生的热量进行储存，其中，当所述储热器热量增加时所述散热模组主体对所述储热器进行散热。

优选的，所述储热器为高比热容材料。

优选的，所述储热器包括：储热容器，所述储热容器与所述散热模组主体固定连接；储热材料，所述储热材料设置在所述储热容器中。

优选的，所述储热容器具有密封圈，所述密封圈设置在所述储热容器的四周。

优选的，所述储热材料为水。

优选的，所述储热器与所述散热模组主体焊接。

优选的，所述储热器与所述散热模组主体通过胶水固定连接。

优选的，所述储热器与所述散热模组主体通过连接件固定连接。

本申请还提供一种散热器。其中，所述散热器包括：芯片；散热模组主体，所述散热模组主体与所述芯片连接，对所述芯片产生的热量进行导出；储热器，所述储热器与所述散热模组主体固定连接，且，所述储热器设置在所述散热模组主体靠近所述芯片的一侧，对所述芯片产生的热量进行储存，其中，当所述储热器热量增加时所述散热模组主体对所述储热器进行散热。

本申请实施例中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：