[发明专利]一种晶圆处理时间及出片量确定方法、装置、设备及介质在审
申请号: | 202110589176.5 | 申请日: | 2021-05-28 |
公开(公告)号: | CN113327874A | 公开(公告)日: | 2021-08-31 |
发明(设计)人: | 曾翠娥;陈杰;吴艳梅;宋义洋;张倩岚;潘玉玲;陈世锋;刘宏杰;陈卓;王珂;金永群;杭雨薇;金光斌;刘鹏飞;黄涛;朱涛 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京海智友知识产权代理事务所(普通合伙) 11455 | 代理人: | 吴京顺 |
地址: | 430000 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 处理 时间 出片量 确定 方法 装置 设备 介质 | ||
1.一种机台的单片晶圆处理时间确定方法,其特征在于,所述方法包括:
获取所述机台的单片晶圆加工工艺时间、单片晶圆传输时间和机台清洗时间;以及
根据所述单片晶圆加工工艺时间、所述单片晶圆传输时间和所述机台清洗时间确定所述机台的单片晶圆处理时间。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述机台清洗时间包括以下一种或多种:前置清理时间、普通清理时间、清除时间、离子能量检测时间、热机时间和自动槽清洗时间。
3.一种机台的晶圆出片量确定方法,其特征在于,所述方法包括:
根据单片晶圆处理时间确定所述机台在单位时间的第一晶圆出片量;
其中,所述单片晶圆处理时间包括单片晶圆加工工艺时间、单片晶圆传输时间和机台清洗时间。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述根据单片晶圆处理时间确定所述机台在单位时间的第一晶圆出片量的步骤包括:
获取所述机台对应的晶圆出片量确定模型,基于所述晶圆出片量确定模型,根据所述单片晶圆处理时间确定所述机台在单位时间的第一晶圆出片量。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述获取所述机台对应的晶圆出片量确定模型的步骤包括:
根据所述机台的通信接口和运行模式,在包括多个机台的晶圆出片量确定模型的查询表中进行查询,确定所述机台对应的晶圆出片量确定模型。
6.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
获取单片晶圆的瓶颈工序,其中,所述瓶颈工序为所述单片晶圆的处理时间最长的工序;
将所述瓶颈工序的处理过程的时间确定为所述单片晶圆加工工艺时间;
将所述瓶颈工序之后的传输过程的时间确定为所述单片晶圆传输时间;以及
将所述瓶颈工序对应的机台清洗过程的时间确定为所述机台清洗时间。
7.据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述基于所述晶圆出片量确定模型,根据所述单片晶圆处理时间确定所述机台在单位时间的第一晶圆出片量的步骤包括:
基于所述晶圆出片量确定模型,确定所述机台的机台清洗时间的至少一种机台清洗类型;
根据所述单片晶圆加工工艺时间、所述单片晶圆传输时间和所述至少一种机台清洗类型的机台清洗时间,计算所述机台在单位时间的第一晶圆出片量。
8.据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述根据所述单片晶圆加工工艺时间、所述单片晶圆传输时间和所述至少一种机台清洗类型的机台清洗时间,计算所述机台在单位时间的第一晶圆出片量的步骤包括:
其中,WPH为所述机台在单位小时的第一晶圆出片量;PT为所述单片晶圆加工工艺时间,单位为秒;TT为所述单片晶圆传输时间,单位为秒;CT为所述至少一种机台清洗类型的机台清洗时间,单位为秒。
9.根据权利要求3-8任一项所述的方法,其特征在于,所述机台清洗时间的机台清洗类型包括以下一种或多种:前置清理时间、普通清理时间、清除时间、离子能量检测时间、热机时间和自动槽清洗时间。
10.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
根据所述机台清洗时间,调整所述机台中的设备配置参数,以调整与所述单片晶圆加工工艺时间、所述单片晶圆传输时间或所述机台清洗时间对应的工序的加工顺序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造