[发明专利]半导体基板结构及其形成方法

说明书

本发明公开了一种半导体基板结构及其形成方法。半导体基板结构包括：载板；多个导电柱，穿过载板；线路层，设置于载板的相对侧上，线路层中的线路与多个导电柱连接以形成第一导电路径和第二导电路径；其中，第一导电路径和第二导电路径分别相对于相同的中心线对称设置。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体来说，涉及一种半导体基板结构及其形成方法。

背景技术

随着封装技术的演进，各式各样的封装结构亦推陈出新，整体封装尺寸也越来越小。另外，随着功能也越来越多，对被动元件的需求亦越来越高。传统被动元件大多是贴片在基板表面，电性表现比较不好。因此业界开始内埋被动元件，以改善电性问题。但内埋被动元件需要在基板中挖出空腔、将被动元件放置在空腔中、再填充空腔等多道制程，亦伴随良率与其他问题，故如何有效整合基板与被动元件便显重要。

以电感为例，先前技术将线圈设置在基板各层线路上，但是这种做法的空间利用率有限。在一些情况下，基板尺寸是依照整体封装所需设计出来，尺寸无法变更，若在基板中内埋大电感值的电感器则会有厚度过厚的问题。增加电感值有两种方法，一种是增加电感数量、另一种选用厚度大的大电感。而无论选用哪一种，在限制基板大小及厚度情况下都无法满足需求。

发明内容

针对相关技术中的问题，本发明提出一种半导体基板结构及其形成方法。

本发明的技术方案是这样实现的：

根据本发明的一个方面，提供了一种半导体基板结构，包括：载板；多个导电柱，穿过载板；线路层，设置于载板的相对侧上，线路层中的线路与多个导电柱连接以形成第一导电路径和第二导电路径。其中，第一导电路径和第二导电路径分别相对于相同的中心线对称设置。

在上述半导体基板结构中，第一导电路径包覆第二导电路径。

在上述半导体基板结构中，第一导电路径的长度大于第二导电路径的长度。

在上述半导体基板结构中，还包括：保护层，设置于线路层上，第二导电路径包括由保护层暴露的第二焊盘。

在上述半导体基板结构中，第一导电路径和第二导电路径对应的电感线圈具有不同的电感值。

在上述半导体基板结构中，第一导电路径包括第一焊盘，连接于第一焊盘下方的导电柱穿过第二导电路径。

在上述半导体基板结构中，第一焊盘和导电柱之间设置有通孔。

在上述半导体基板结构中，线路层中的线路与多个导电柱连接还形成第三导电路径。其中，第三导电路径相对于中心线对称设置，第三导电路径包覆第一导电路径。

在上述半导体基板结构中，第一线路层不连接第二线路层。

根据本发明的另一个方面，还提供了一种形成半导体基板结构的方法，包括：提供载板并形成穿过载板的多个导电柱；在载板上形成连接多个导电柱的第一线路层；在第一线路层上形成连接多个导电柱的第二线路层；在第二线路层上形成保护层；在保护层上形成第一焊盘和第二焊盘分别连接第一线路层和第二线路层。其中，第一线路层不连接第二线路层。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是根据本发明的实施例提供了半导体基板结构的示意图。

图2A是根据本发明实施例的半导体基板结构的俯视示意图。

图2B是根据本发明实施例的第一和第二导电路径中的任意一个的立体示意图。