[发明专利]半导体基板结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110587193.5 | 申请日： | 2021-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN113555338A | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 黄文宏 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/522;H01L21/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 板结 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体基板结构，包括：
载板；
多个导电柱，穿过所述载板；
线路层，设置于所述载板的相对侧上，所述线路层中的线路与所述多个导电柱连接以形成第一导电路径和第二导电路径；
其中，所述第一导电路径和所述第二导电路径分别相对于相同的中心线对称设置。
2.根据权利要求1所述的半导体基板结构，其特征在于，所述第一导电路径包覆所述第二导电路径。
3.根据权利要求1所述的半导体基板结构，其特征在于，所述第一导电路径的长度大于所述第二导电路径的长度。
4.根据权利要求1所述的半导体基板结构，其特征在于，还包括：保护层，设置于所述线路层上，所述第二导电路径包括由保护层暴露的第二焊盘。
5.根据权利要求1所述的半导体基板结构，其特征在于，所述第一导电路径和所述第二导电路径对应的电感线圈具有不同的电感值。
6.根据权利要求1所述的半导体基板结构，其特征在于，所述第一导电路径包括第一焊盘，连接于所述第一焊盘下方的导电柱穿过所述第二导电路径。
7.根据权利要求6所述的半导体基板结构，其特征在于，所述第一焊盘和所述导电柱之间设置有通孔。
8.根据权利要求1所述的半导体基板结构，其特征在于，所述线路层中的线路与所述多个导电柱连接还形成第三导电路径；
其中，所述第三导电路径相对于所述中心线对称设置，所述第三导电路径包覆所述第一导电路径。
9.根据权利要求1所述的半导体基板结构，其特征在于，所述第一线路层不连接所述第二线路层。
10.一种形成半导体基板结构的方法，包括：
提供载板并形成穿过所述载板的多个导电柱；
在所述载板上形成连接所述多个导电柱的第一线路层；
在所述第一线路层上形成连接所述多个导电柱的第二线路层；
在所述第二线路层上形成保护层；
在所述保护层上形成第一焊盘和第二焊盘分别连接所述第一线路层和所述第二线路层；
其中，所述第一线路层不连接所述第二线路层。
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