[发明专利]半导体基板结构及其形成方法

说明书

本发明公开了一种半导体基板结构及其形成方法。半导体基板结构包括：电容器，具有沿相同方向延伸的多个输入输出部件；线路层，位于多个输入输出部件的相对端上方，线路层中的线路与多个输入输出部件直接接触和电连接以形成导电路径。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体来说，涉及一种半导体基板结构及其形成方法。

背景技术

随着封装技术的演进，各式各样的封装结构亦推陈出新，整体封装尺寸也越来越小，功能也越来越多，对被动元件的需求亦越来越高。

传统被动元件大多是采用内埋被动元件的设计，绝大部分是利用基板逐层建构完成后，再利用成型技术将要内埋被动元件的位置移除形成空腔，并将被动元件放置到空腔中，最后再使用封孔材料填孔。这样的作法浪费工程资源，同时也使制程良率损失。此外，目前技术内埋电容器和电感器都需要额外制程，使得厚度无法降低，并且电性表现也比较不好。

发明内容

针对相关技术中的问题，本发明提出一种半导体基板结构及其形成方法。

本发明的技术方案是这样实现的：

根据本发明的一个方面，提供了一种半导体基板结构，包括：电容器，具有沿相同方向延伸的多个输入输出部件；线路层，位于多个输入输出部件的相对端上方，线路层中的线路与多个输入输出部件直接接触和电连接以形成导电路径。

在上述半导体基板结构中，多个输入输出部件为多个导电柱。

在上述半导体基板结构中，多个输入输出部件贯穿电容器。

在上述半导体基板结构中，线路层覆盖电容器。

在上述半导体基板结构中，电容器具有垂直于多个输入输出部件的延伸方向的中心线，线路层中的线路相对于电容器的中心线对称设置。

在上述半导体基板结构中，导电路径为电感线圈。

在上述半导体基板结构中，电容器包括金属核心层，多个输入输出部件贯穿金属核心层。

在上述半导体基板结构中，电容器还包括覆盖在金属核心层的相对侧上的电极材料层。

在上述半导体基板结构中，还包括导磁层，设置于电容器上方。

在上述半导体基板结构中，电容器还包括附加输入输出部件，附加输入输出部件为通孔。

根据本发明的一个方面，还提供了一种形成半导体基板结构的方法，包括：形成具有多个输入输出部件的电容器；在电容器的多个输入输出部件的两端上电镀导电线路，导电线路连接多个输入输出部件以形成穿过电容器的导电路径。

在上述方法中，电容器为薄膜型电容器。

在上述方法中，形成电容器包括：提供金属核心层；在金属核心层的相对侧上覆盖电极材料层。

在上述方法中，形成电容器包括：形成穿过核心层和电极材料层的多个通孔。

在上述方法中，形成电容器还包括：在通孔中形成导电柱以形成多个输入输出部件。

在上述方法中，电容器具有垂直于多个输入输出部件的延伸方向的中心线，导电线路相对于电容器的中心线对称设置。

在上述方法中，导电路径为电感线圈。

在上述方法中，在形成电容器包括：形成附加输入输出部件，附加输入输出部件为通孔。

在上述方法中，还包括：在电容器上方形成导磁层。

在上述方法中，在电镀导电线路之后还包括：在导电线路上方形成重布线层。

附图说明