[发明专利]半导体基板结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110587168.7 | 申请日： | 2021-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN113555337A | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 黄文宏 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/522;H01L21/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 板结 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体基板结构，其特征在于，包括：
电容器，具有沿相同方向延伸的多个输入输出部件；
线路层，位于所述多个输入输出部件的相对端上方，所述线路层中的线路与所述多个输入输出部件直接接触和电连接以形成导电路径。
2.根据权利要求1所述的半导体基板结构，其特征在于，所述多个输入输出部件为多个导电柱。
3.根据权利要求1所述的半导体基板结构，其特征在于，所述多个输入输出部件贯穿所述电容器。
4.根据权利要求1所述的半导体基板结构，其特征在于，所述线路层覆盖所述电容器。
5.根据权利要求1所述的半导体基板结构，其特征在于，所述电容器具有垂直于所述多个输入输出部件的延伸方向的中心线，所述线路层中的所述线路相对于所述电容器的中心线对称设置。
6.根据权利要求1所述的半导体基板结构，其特征在于，所述导电路径为电感线圈。
7.根据权利要求1所述的半导体基板结构，其特征在于，所述电容器包括金属核心层，所述多个输入输出部件贯穿所述金属核心层。
8.根据权利要求7所述的半导体基板结构，其特征在于，所述电容器还包括覆盖在所述金属核心层的相对侧上的电极材料层。
9.根据权利要求1所述的半导体基板结构，其特征在于，还包括导磁层，设置于所述电容器上方。
10.根据权利要求1所述的半导体基板结构，其特征在于，所述电容器还包括附加输入输出部件，所述附加输入输出部件为通孔。
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