[发明专利]用于在300mm绝缘体上硅平台中制备底切的方法

权利要求书

1.一种用于在绝缘体上硅SOI结构(11)的绝缘体层(11b)下的硅基材(11a)中制造一个或多个腔室(12)的方法(10)，所述方法(10)包括：

对硅基材(11a)进行第一干法蚀刻(10a)以在绝缘体层(11b)下产生一个或多个腔室(12)；

对硅基材(11a)进行第一湿法蚀刻(10b)以使一个或多个腔室(12)扩张；

对硅基材(11a)进行第二干湿法蚀刻(10c)以使一个或多个腔室(12)进一步扩张，并且破坏由第一湿法蚀刻产生的硅琢面(13)；以及

进行第二湿法蚀刻(10d)以使一个或多个腔室(12)扩张。

2.如权利要求1所述的方法(10)，所述方法(10)还包括：

对硅基材(11a)交替进行一个或多个其它干法蚀刻和一个或多个其它湿法蚀刻；

其中，各其它干法蚀刻使一个或多个腔室(12)进一步扩张，并且破坏由前序湿法蚀刻产生的硅琢面(13)；以及

各其它湿法蚀刻使一个或多个腔室(12)进一步扩张。

3.如权利要求1或2所述的方法(10)，所述方法还包括在进行第一干法蚀刻(10a)之前：

蚀刻一个或多个沟槽(15)穿过绝缘体层(11b)并进入SOI结构(11)的硅基材(11a)中；

通过所述一个或多个沟槽(40)进行第一干法蚀刻(10a)，以在绝缘体层(11b)下形成一个或多个腔室(12)。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法(10)，其中，

在硅基材(11a)中形成至少两个相邻腔室(12)，并进行干法蚀刻和湿法蚀刻(10a-10d)，直至至少两个相邻腔室(12)合并。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法(10)，其中，

进行干法蚀刻和湿法蚀刻(10a-10d)，直至一个或多个腔室(12)的顶侧(70)到达绝缘体层(11b)。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法(10)，其中，

干法蚀刻(10a，10c)是选择性体硅蚀刻和/或各向同性蚀刻。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法(10)，其中，

干法蚀刻(10a，10c)各自包括包含氟的蚀刻步骤。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法(10)，其中，

干法蚀刻(10a，10c)各自包括使用六氟化硫或二氟化氙与氩或氦组合的蚀刻步骤。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法(10)，其中，

干法蚀刻(10a，10c)在80℃至120℃的温度下各自进行1000秒至1400秒。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法(10)，其中，

湿法蚀刻(10b，10d)是各向异性湿法蚀刻。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法(10)，其中，

湿法蚀刻(10b，10d)各自包括使用氢氧化四甲基铵和/或氢氧化钾的蚀刻步骤。

12.如权利要求11所述的方法(10)，其中，

湿法蚀刻(10b，10d)各自包括使用氟化氢以去除原生氧化物的蚀刻步骤。

13.如权利要求12所述的方法(10)，其中，

湿法蚀刻(10b，10d)各自包括使用0.2％至0.4％的氟化氢进行10秒至20秒的蚀刻步骤，随后使用2％至8％的氢氧化四甲基铵在75℃至85℃的温度下进行400秒至800秒的蚀刻步骤。