[发明专利]等离子体处理装置在审

申请号：	202110585481.7	申请日：	2021-05-27
公开（公告）号：	CN113764249A	公开（公告）日：	2021-12-07
发明（设计）人：	郑和俊;铃木雅弘;保坂勇贵;大秦充敬	申请（专利权）人：	东京毅力科创株式会社
主分类号：	H01J37/32	分类号：	H01J37/32;H01L21/683
代理公司：	北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277	代理人：	刘新宇
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	等离子体处理装置
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【说明书】：

本发明提供一种等离子体处理装置，能够在控制基板边缘处的倾斜的同时抑制基板的中央和中间区域的工艺变化。等离子体处理装置具有：等离子体处理容器；基板支承部，其配置于等离子体处理容器内，包括静电吸盘；第一环，其以包围静电吸盘上的基板的方式配置于静电吸盘上，包括内侧环状部分、中间环状部分以及外侧环状部分，内侧环状部分的上表面比中间环状部分的上表面高，外侧环状部分的上表面比内侧环状部分的上表面高；第二环，其配置于第一环的中间环状部分的上表面；以及致动器，其构成为使第二环沿纵向移动以将第二环的上表面维持为第一高度，第一高度比第一环的内侧环状部分的上表面的高度大且比第一环的外侧环状部分的上表面的高度小。

技术领域

本公开涉及一种等离子体处理装置。

背景技术

等离子体处理装置针对半导体晶圆(下面也称作晶圆或基板。)等被处理体进行蚀刻等等离子体处理。在等离子体处理装置中，伴随等离子体处理，腔室内的部件产生消耗，由此对等离子体处理的结果产生影响。例如，当为了使等离子体均匀化而设置于晶圆的外周部的聚焦环产生消耗且上表面的高度下降时，晶圆和聚焦环上的等离子体鞘的高度产生偏差，对等离子体处理的均匀性等产生影响。因此，提出了通过升降机构使聚焦环上升。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2019-071369号公报

专利文献2：美国专利申请公开第2017/0236741号说明书

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供一种能够在抑制基板边缘处的倾斜的同时抑制基板的中央和中间区域的工艺变化的等离子体处理装置。

用于解决问题的方案

基于本公开的一个方式的等离子体处理装置具有：等离子体处理容器；基板支承部，其配置于等离子体处理容器内，所述基板支承部包括静电吸盘；第一环，其以包围静电吸盘上的基板的方式配置于静电吸盘上，所述第一环包括内侧环状部分、中间环状部分以及外侧环状部分，内侧环状部分的上表面比中间环状部分的上表面高，外侧环状部分的上表面比内侧环状部分的上表面高；第二环，其配置于第一环的中间环状部分的上表面；以及致动器，其构成为使第二环沿纵向移动以将第二环的上表面维持在第一高度，其中，第一高度比第一环的内侧环状部分的上表面的高度高且比第一环的外侧环状部分的上表面的高度低。

发明的效果

根据本公开，能够在控制基板端部处的倾斜的同时抑制基板的中央和中间区域的工艺变化。

附图说明

图1是表示本公开的第一实施方式的等离子体处理系统的一例的图。

图2是表示第一实施方式的边缘环附近的截面的一例的放大图。

图3是表示第一实施方式的、使第二环上升了的状态下的边缘环附近的截面的一例的放大图。

图4是表示第一实施方式的边缘环附近的等效电路的一例的图。

图5是表示基板端部处的倾斜角的一例的图。

图6是表示基板端部处的倾斜角的一例的图。

图7是表示第二实施方式的边缘环附近的截面的一例的放大图。

图8是表示第三实施方式的边缘环附近的截面的一例的放大图。

图9是表示第三实施方式的实验结果的一例的图。