[发明专利]等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，具有：

等离子体处理容器；

基板支承部，其配置于所述等离子体处理容器内，所述基板支承部包括静电吸盘；

第一环，其以包围所述静电吸盘上的基板的方式配置于所述静电吸盘上，所述第一环包括内侧环状部分、中间环状部分以及外侧环状部分，所述内侧环状部分的上表面比所述中间环状部分的上表面高，所述外侧环状部分的上表面比所述内侧环状部分的上表面高；

第二环，其配置于所述第一环的所述中间环状部分的上表面；以及

致动器，其构成为使所述第二环沿纵向移动以将所述第二环的上表面维持为第一高度，所述第一高度比所述第一环的所述内侧环状部分的上表面的高度高且比所述第一环的所述外侧环状部分的上表面的高度低。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述第二环的宽度与所述第一环的所述中间环状部分的宽度相同或比所述第一环的所述中间环状部分的宽度小。

3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述第一环和所述第二环由硅或碳化硅构成。

4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，

还具有覆盖环，所述覆盖环以包围所述第一环的方式配置，所述覆盖环由绝缘材料构成。

5.一种等离子体处理装置，具有：

等离子体处理容器；

基板支承部，其配置于所述等离子体处理容器内，所述基板支承部包括静电吸盘；

第一环，其由导电材料构成，以包围所述静电吸盘上的基板的方式配置于所述静电吸盘上，所述第一环包括内侧环状部分和外侧环状部分，所述内侧环状部分的上表面比所述外侧环状部分的上表面高；

第二环，其配置于所述第一环的所述外侧环状部分的上表面，所述第二环由导电材料构成；

第三环，其以包围所述第一环和所述第二环的方式配置，所述第三环由导电材料构成；

覆盖环，其由绝缘材料构成，以覆盖所述第三环的上表面和外周侧面的方式配置，所述覆盖环的上表面比所述第一环的所述内侧环状部分的上表面高；以及

致动器，其构成为使所述第二环沿纵向移动以将所述第二环的上表面维持为第一高度，所述第一高度比所述第一环的所述内侧环状部分的上表面的高度高且比所述覆盖环的上表面的高度低。

6.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述第三环由具有比所述第一环和所述第二环的导电率高的导电率的材料构成。

7.根据权利要求5或6所述的等离子体处理装置，其特征在于，

在所述第一环与所述第三环之间形成有间隙。

8.根据权利要求5至7中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述第三环的至少一部分配置于所述静电吸盘上。

9.根据权利要求5至8中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述第二环的宽度与所述第一环的所述外侧环状部分的宽度相同。

10.根据权利要求5至9中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述第一环、所述第二环以及所述第三环由硅或碳化硅构成。