[发明专利]一种高压碳化硅漂移阶跃恢复二极管在审
| 申请号： | 202110580713.X | 申请日： | 2021-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN113380875A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 张景文;刘静楠;时明月;王燕;张恒清;侯洵 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L29/861 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 朱海临 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高压 碳化硅 漂移 阶跃恢复二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种高压碳化硅漂移阶跃恢复二极管，其特征在于，包括原胞结构，原胞结构自下而上分别为N型欧姆接触电极(1)、N型掺杂衬底(2)、N型掺杂缓冲层(3)、P型基区(4)、P型掺杂发射层(5)和P型欧姆接触电极(6)，P型基区(4)为碳化硅耐压基区，P型基区(4)厚度为14～22μm。
2.根据权利要求1所述的一种高压碳化硅漂移阶跃恢复二极管，其特征在于，具体的，P型基区(4)厚度为18μm。
3.根据权利要求1所述的一种高压碳化硅漂移阶跃恢复二极管，其特征在于，N型掺杂缓冲层(3)厚度为1μm。
4.根据权利要求1所述的一种高压碳化硅漂移阶跃恢复二极管，其特征在于，P型掺杂发射层(5)的厚度为2μm。
5.根据权利要求1所述的一种高压碳化硅漂移阶跃恢复二极管，其特征在于，P型基区(4)的掺杂浓度为1*1015～1*1016cm-3。
6.根据权利要求5所述的一种高压碳化硅漂移阶跃恢复二极管，其特征在于，P型基区(4)的掺杂浓度为5*1015cm-3。
7.根据权利要求1所述的一种高压碳化硅漂移阶跃恢复二极管，其特征在于，具体的，P型掺杂发射层(5)采用P+型掺杂发射层。
8.根据权利要求1所述的一种高压碳化硅漂移阶跃恢复二极管，其特征在于，P型掺杂发射层(5)为P型欧姆接触的阳极区。
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