[发明专利]一种高效率低损耗硅太阳能电池片

说明书

本发明公开了一种高效率低损耗硅太阳能电池片，包括基体片、栅线，基体片包括N型半导体层、P型半导体层、PN结层、氧化铝钝化层、氧化硅减反层，N型半导体层的底表面配置有二氧化硅隧穿层，二氧化硅隧穿层的底表面配置有N型钝化层，N性钝化层的底表面配置有氮化硅减反层，氮化硅减反层的底部表面配置有背电极，氮化硅减反层的底表面边侧设置有对位标记。本发明所提供的太阳能电池片结构较为简单、易于生产制造，通过POF膜可以对太阳能电池片进行有效的防护，氧化铝钝化层和二氧化硅隧穿层提高太阳能电池片的性能，具有可靠性能高、效率高、低损耗等优点，采用该对位标记使背电极印刷时对位更准确，降低了太阳能电池片印刷偏移的几率。

技术领域

本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种高效率低损耗硅太阳能电池片。

背景技术

随着全球煤炭、石油、天然气等常规化石能源消耗速度加快，生态环境不断恶化，特别是温室气体排放导致日益严峻的全球气候变化，人类社会的可持续发展已经受到严重威胁。世界各国纷纷制定各自的能源发展战略，以应对常规化石能源资源的有限性和开发利用带来的环境问题。太阳能凭借其可靠性、安全性、广泛性、长寿性、环保性、资源充足性的特点已成为最重要的可再生能源之一，有望成为未来全球电力供应的主要支柱。在新一轮能源变革过程中，我国光伏产业已成长为具有国际竞争优势的战略新兴产业。然而，光伏产业发展仍面临诸多问题与挑战，转换效率与可靠性是制约光伏产业发展的最大技术障碍，而成本控制与规模化又在经济上形成制约。

太阳能电池主要是以半导体材料为基础，其工作原理是利用光电材料吸收光能后发生光电转换反应，根据所使用材料的不同，太阳能电池可分为：硅太阳能电池、以无机盐化合物、硫化镉、铜铟硒等多元化合物为材料的电池、功能高分子材料制备的太阳能电池、纳米晶太阳能电池等，以硅为基体材料的太阳能电池，按硅材料的结晶形态，可分为单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池和非晶硅太阳能电池。

然而现在主要的单晶电池生产工艺基本都是SE+PERC电池结构，其将正面激光重掺杂技术(SE)与局部接触背钝化技术(PERC)相结合，大大提升了太阳能电池的效率。现有的SE+PERC叠加背面抛光工艺的电池制备方法分为两种，一种为酸刻蚀制备法，另一种为碱刻蚀法。在SE+PERC电池的制备过程中，刻蚀抛光的方法影响了其效率；酸法抛光虽然流程简单，但其被反射率低，光投射损失大，转化效率低，碱法抛光虽然通过碱抛光实现了背反射率的提升，但仍未大幅度提升太阳能电池转化效率。

同时太阳能电池在生产时还会采用印刷电子浆料来制作上下电极，由于电子浆料的价格比较昂贵，因此如何降低丝网印刷过程中印刷不良的比例，成为太阳能电池生产过程中一个比较关键的因素。由于丝网印刷机相机捕捉精度不高，在进行背电极以及背电场图形套印时往往存在印刷图形偏移的现象，偏移较大会导致背面露硅的现象，使得背面场钝化效果降低，同时偏移过大的图形需要擦拭重新进行印刷，增加了生产成本，而产生偏移时一般通过一边调试印刷参数，一边利用游标卡尺测量来进行矫正，调试的过程往往需要很长时间，且背电极和背电场的对准程度较差，影响了生产效率。

而以上问题都是亟待解决的，因此本发明提出一种高效率低损耗硅太阳能电池片来解决上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种高效率低损耗硅太阳能电池片，以解决上述背景技术中提出的问题。