[发明专利]一种高效率低损耗硅太阳能电池片

权利要求书

1.一种高效率低损耗硅太阳能电池片，包括基体片和设置在基体片顶表面和底表面上的栅线，其特征在于：所述基体片包括N型半导体层(1)和P型半导体层(2)，N型半导体层(1)与P型半导体层(2)相接触面处形成PN结层(3)，所述P型半导体层(2)的顶表面设置有氧化铝钝化层(4)，氧化铝钝化层(4)的另一接触面配置有氧化硅减反层(5)，所述N型半导体层(1)的底表面配置有二氧化硅隧穿层(7)，二氧化硅隧穿层(7)的底表面配置有N型钝化层(8)，N性钝化层(8)的底表面配置有氮化硅减反层(9)，所述氮化硅减反层(9)的底部表面配置有背电极(11)，氮化硅减反层(9)的底表面边侧设置有对位标记(12)。

2.根据权利要求1所述的一种高效率低损耗硅太阳能电池片，其特征在于：所述栅线又包括副栅线和主栅线，其由银、金、铜、铝、镍等金属中的一种制成，所述副栅线包括设置在氧化硅减反层(5)顶表面的顶侧副栅线(6)和设置在氮化硅减反层(9)底表面的底侧副栅线(10)。

3.根据权利要求2所述的一种高效率低损耗硅太阳能电池片，其特征在于：所述氧化硅减反层(5)顶表面和氮化硅减反层(9)底表面外部包裹有POF薄膜(13)，所述N型半导体层(1)的厚度为120μm-200μm，P型半导体层(2)为制备好N型钝化层(8)之后配置的结构层，氧化铝钝化层(4)的厚度为5nm-15nm，二氧化硅隧穿层(7)的厚度为1nm-2nm。

4.根据权利要求3所述的一种高效率低损耗硅太阳能电池片，其特征在于：所述N型钝化层(8)设置在二氧化硅隧穿层(7)的底表面上，且N型钝化层(8)为掺杂磷的钝化层，N型钝化层(7)的厚度为100nm-200nm。

5.根据权利要求4所述的一种高效率低损耗硅太阳能电池片，其特征在于：所述氧化硅减反层(5)和氮化硅减反层(9)的厚度为100nm-150nm。

6.根据权利要求5所述的一种高效率低损耗硅太阳能电池片，其特征在于：所述POF膜(13)厚度为400μm。

7.根据权利要求6所述的一种高效率低损耗硅太阳能电池片，其特征在于：所述对位标记(12)通过丝网印刷设置在氮化硅减反层(9)的底表面上。

8.根据权利要求7所述的一种高效率低损耗硅太阳能电池片，其特征在于：所述对位标记(12)设置在太阳能电池片背面沿背电极(11)长度方向设置的两侧边缘部分。

9.根据权利要求8所述的一种高效率低损耗硅太阳能电池片，其特征在于：所述对位标记(12)距离太阳能电池片边缘的距离为1-2mm，且对位标记(12)的具体数量为2-4个。

10.根据权利要求9所述的一种高效率低损耗硅太阳能电池片，其特征在于：所述对位标记(12)的具体形状均为正方形、十字形、三角形或长方形。