[发明专利]一种具有芯片角度校正结构的TO封装器件

说明书

本发明涉及一种具有芯片角度校正结构的TO封装器件，包括：散热板、芯片载片区、功率芯片、管脚和若干功能引线，其中，所述散热板上设置有所述芯片载片区；所述芯片载片区上设置有若干校正沟槽；所述功率芯片设置在所述芯片载片区上，且位于所述校正沟槽上方；所述管脚通过若干所述功能引线与所述功率芯片连接。本发明的具有芯片角度校正结构的TO封装器件，在芯片载片区上设置有校正沟槽，校正沟槽内填充有焊料，并将功率芯片放置在校正沟槽所围的位置处，利用熔融的焊料层不同区域的表面张力的大小不同，将功率芯片吸附在校正沟槽处，从而避免了功率芯片在焊接时发生功率芯片偏斜的现象。

技术领域

本发明属于功率芯片技术领域，具体涉及一种具有芯片角度校正结构的TO封装器件。

背景技术

芯片是功率器件的主要组成部分，芯片使用过程中必须与外界隔离，以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降。另外，封装后的芯片也更便于安装和运输，而且，封装技术的好坏还直接影响到芯片自身性能的发挥，是功率器件制备过程中的重要步骤。封装不仅起着安装、固定、密封、保护芯片及增强电热性能等方面的作用，而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接，从而实现内部芯片与外部电路的连接。

TO封装(Transistor OutlinePackage)技术是一种全封闭式封装技术，是功率器件比较常用的微电子器件封装方式。TO封装相对于其他的封装技术，长处在于寄生参数比较小，而且成本很低，工艺也相对来说简单，使用起来更加的灵活方便，但其管脚较少，内部容量也很小，因此其热环境较差。TO封装中焊层厚度的设计需要综合考虑热阻、热应力的影响，为保障芯片的热可靠性，会保证一定厚度的焊层材料，在芯片粘贴之后进行焊接时，焊层材料会融化，出现在芯片“漂浮”在融化的焊层材料上，在焊层材料冷却之后，芯片的粘贴位置和角度常会出现变化，影响到结构的一致性，造成芯片电气参数出现波动。因此如何对TO封装中芯片粘贴角度进行校正成为电力电子行业亟待解决的问题。

发明内容

为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种具有芯片角度校正结构的TO封装器件。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现：

本发明提供了一种具有芯片角度校正结构的TO封装器件，包括：散热板、芯片载片区、功率芯片、管脚和若干功能引线，其中，

所述散热板上设置有所述芯片载片区；

所述芯片载片区上设置有若干校正沟槽；

所述功率芯片设置在所述芯片载片区上，且位于所述校正沟槽上方；

所述管脚通过若干所述功能引线与所述功率芯片连接。

在本发明的一个实施例中，所述校正沟槽为矩形沟槽，若干校正沟槽在所述芯片载片区内呈水平平行排列。

在本发明的一个实施例中，所述芯片载片区上至少设置有两个所述校正沟槽，且所述功率芯片的一组对边，分别位于两个所述校正沟槽的中线位置处。

在本发明的一个实施例中，所述功率芯片与所述芯片载片区之间涂覆有焊料层，所述校正沟槽内填充有焊料。

在本发明的一个实施例中，所述校正沟槽的长边与所述焊料层边界之间的距离，为所述校正沟槽宽度的1/2-3/5。

在本发明的一个实施例中，所述校正沟槽的宽度为与之垂直的所述功率芯片边长的2/5-1/2。

在本发明的一个实施例中，所述校正沟槽的深度为所述芯片载片区厚度的1/5-2/5。

在本发明的一个实施例中，所述校正沟槽的短边与所述功率芯片边界之间的距离，为所述校正沟槽宽度的1/2-3/5。