[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202110570493.2 | 申请日： | 2021-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN113764413A | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 杨智铨;徐国修 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238;H01L27/11 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;郑特强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：
一第一半导体堆叠以及一第二半导体堆叠，设置于一基板上方，其中各该第一半导体堆叠与该第二半导体堆叠包含层叠的且相互分开的半导体层；
一虚设间隔物，位于该第一半导体堆叠以及该第二半导体堆叠之间，其中该虚设间隔物接触该第一半导体堆叠与该第二半导体堆叠的各半导体层的一第一侧壁；以及
一栅极结构，该栅极结构环绕该第一半导体堆叠与该第二半导体堆叠的各半导体层的一第二侧壁、一顶面以及一底面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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