[发明专利]一种三值逻辑晶体管器件结构及其制备方法

权利要求书

1.一种三值逻辑晶体管器件结构，其特征在于：该结构包括：

一衬底，以提供支撑；

重掺杂隧穿区；

位于重掺杂隧穿区上方的埋氧层；

位于埋氧层上的顶层硅膜；

重掺杂隧穿区两侧的源区和漏区；

位于源区、漏区和重顶层硅膜上的栅氧层以及栅极。

2.根据权利要求1所述的三值逻辑晶体管器件结构，其特征在于：源区、漏区的向衬底底部延伸的深度深于埋氧层的深度，以形成隧穿结构。

3.根据权利要求1所述的三值逻辑晶体管器件结构，其特征在于：埋氧层的厚度大于栅氧层的厚度，以实现对重掺杂隧穿区与栅极的隔离。

4.一种三值逻辑晶体管器件结构的制备方法，其特征在于：包括：

选用SOI晶片；

对SOI晶片进行刻蚀；

重掺杂以形成重掺杂隧穿区，并选择性外延生长硅，得到源区、漏区；

淀积栅氧层，并在栅氧层上制作栅极。

5.根据权利要求4所述的三值逻辑晶体管器件结构的制备方法，其特征在于：SOI晶片包括衬底，埋氧层以及顶层硅膜。

6.根据权利要求5所述的三值逻辑晶体管器件结构的制备方法，其特征在于：对SOI晶片进行刻蚀的过程中，刻蚀深度深于顶层硅膜以及埋氧层。

7.根据权利要求4所述的三值逻辑晶体管器件结构的制备方法，其特征在于：保证重掺杂隧穿区的厚度大于栅氧层的厚度。

8.根据权利要求4所述的三值逻辑晶体管器件结构的制备方法，其特征在于：源区和漏区的掺杂浓度需要足够高以形成隧穿结构。