[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底；所述衬底上形成有位于第一层间介质层中的第一器件；

在所述第一层间介质层上形成第二器件；所述第二器件包括源极、漏极、所述第二器件的源极和漏极之间的沟道和与所述沟道连接的栅极；所述第二器件的源极和漏极的材料为金属锗硅化物，所述沟道的材料为锗硅合金；所述第一器件和所述第二器件中至少包括一个存储器件和一个逻辑器件；

形成覆盖所述第二器件的第二层间介质层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二器件中的源极、漏极和沟道通过以下步骤形成：

在所述第一层间介质层上的有源区形成半导体层；所述半导体层的材料为锗硅合金；所述有源区包括所述沟道区和所述沟道区两侧的源漏区，所述沟道区的半导体层作为所述第二器件的沟道；

在所述源漏区的半导体层上形成金属层，退火以使所述源漏区的半导体层和所述金属层反应形成金属锗硅化物；

去除未反应的金属层以在所述源漏区形成所述第二器件的源极和漏极。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述源漏区的半导体层上形成金属层之前，所述方法还包括：

在所述源漏区的半导体层中进行P型掺杂。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的方法，其特征在于，所述锗硅合金包括：单晶硅和单晶锗的合金，单晶硅和多晶锗的合金，多晶硅和单晶锗的合金，或多晶硅或多晶锗的合金；所述金属包括：镍、钛、钴或铂。

5.根据权利要求1-3任意一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

形成贯穿所述第二层间介质层并与所述第二器件的源极连接的第一接触，贯穿所述第二层间介质层并与所述第二器件的漏极连接的第二接触，贯穿所述第一层间介质层和所述第二层间介质层并与所述第一器件的源极连接的第三接触，以及贯穿所述第一层间介质层和所述第二层间介质层并与所述第一器件的漏极连接的第四接触。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述第二层间介质层上形成布线层，以连接所述第一接触和所述第四接触，或连接所述第二接触和所述第三接触。

7.一种半导体器件，其特征在于，包括：纵向堆叠的第一器件和第二器件；所述第一器件位于衬底上的第一层间介质层中，所述第二器件位于第二层间介质层中，所述第一器件和所述第二器件中至少包括一个存储器件和一个逻辑器件；

所述第二器件位于所述第一器件的远离衬底的一侧；

所述第二器件包括源极、漏极、所述第二器件的源极和漏极之间的沟道和与所述沟道连接的栅极；

所述第二器件的源极和漏极的材料为金属锗硅化物，所述沟道的材料为锗硅合金。

8.根据权利要求7所述的器件，其特征在于，包括：所述第二器件的源极和漏极经过P型掺杂。

9.根据权利要求7-8任意一项所述的器件，其特征在于，包括：所述锗硅合金包括：单晶硅和单晶锗的合金，单晶硅和多晶锗的合金，多晶硅和单晶锗的合金，或多晶硅和多晶锗的合金；所述金属为：镍、钛、钴或铂。

10.根据权利要求7-8任意一项所述的器件，其特征在于，所述器件还包括：

贯穿所述第二层间介质层并与所述第二器件的源极连接的第一接触，贯穿所述第二层间介质层并与所述第二器件的漏极连接的第二接触，贯穿所述第一层间介质层和所述第二层间介质层并与所述第一器件的源极连接的第三接触，以及贯穿所述第一层间介质层和所述第二层间介质层并与所述第一器件的漏极连接的第四接触。